摘要
首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高均匀性和低刻蚀能量的ICP(inductively coupled plasma)增强型RIE技术,研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和RF源功率对HgCdTe材料刻蚀形貌的影响,并初步得到了一种稳定的、刻蚀表面清洁、光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺.
The research results of dry technique on the etch pattern of forming micro-mesa arrays for HgCdTe IRFPAs （In- frared Focal Plane Arrays） detector were presented. The available RIE equipments and etch principle were analyzed respectively according to the characteristics of HgCdTe epitaxial material in detail. The influences of etching gas ratio, chamber pressure, ICP （ inductively coupled plasma） power and RF （ radio frequency） power on HgCdTe etch pattern were investigated by using ICP enhanced RIE （reactive ion etching）. Then a stable dry etch technique is obtained with clean and smooth etch surface, good pattern profile, good uniformity and high etch rate.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期325-328,共4页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金
国家973基础研究项目
红外物理国家重点实验室开放课题(200607)
作者简介
叶振华，男（1977-），江西玉山人，博士，主要从事新一代红外焦平面探测器的关键技术研究．
