中低压ZnO压敏电阻器的研究被引量：3

A Study of ZnO Varistor of Intermediate and Low Voltages

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摘要本文论述采用籽晶法制备中、低压ＺｎＯ压敏电阻器，并利用扫描电子显微镜研究其微观结构。 In this paper,ZnO varistor of intermediate and low voltages prepared by adding crystal seeds was discussed and its microstructrue was investigated by SEM.

作者冯景星

机构地区福州大学电子科学与应用物理系

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第5期404-406,共3页 Journal of Functional Materials

基金福建省自然科学基金

关键词晶粒晶界压敏电阻器微观结构 crystal seed grain grain boundary varistor microstructure

分类号 TM54 [电气工程—电器]

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功能材料

1996年第5期

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