193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点
被引量：1
出处
《电子工业专用设备》
2006年第4期1-2,共2页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
同被引文献5
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1翁寿松.193nm浸入式光刻技术独树一帜[J].电子工业专用设备,2005,34(7):11-14. 被引量：9
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2翁寿松.光刻、OPC与DFM[J].电子工业专用设备,2006,35(4):18-22. 被引量：5
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3Aaron Hand.先进光刻技术大步向前[J].集成电路应用,2006,23(5):22-22. 被引量：2
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4Aaron Hand.高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米[J].集成电路应用,2006,23(6):15-15. 被引量：2
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5Laura Peters.缺陷问题驱动浸没光刻技术发展[J].集成电路应用,2006,23(6):16-16. 被引量：1
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1章从福.Nikon 39nm图形技术取得进展 欲占193nm浸没式光刻半壁江山[J].半导体信息,2007,0(2):19-20.
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2浸没式光刻技术[J].微纳电子技术,2004,41(8):13-13.
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3面对Prescott:如何选购主流主板[J].计算机与网络,2004,30(11):10-10.
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4沈熙磊.Tower Jazz和美国DARPA合作开发高频HBT晶体管[J].半导体信息,2011,0(4):9-9.
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5Aaron Hand.高折射率浸没式光刻不一定是最后赢家[J].集成电路应用,2006,23(10):30-30.
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6Aaron Hand.超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战:偏振效应[J].集成电路应用,2006,23(3):16-20.
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7《半导体国际》第三届光刻技术研讨会[J].集成电路应用,2007,24(7):20-20.
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8Laura Peters.清除浸没式光刻缺陷[J].集成电路应用,2007,24(7):24-24. 被引量：2
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9Aaron Hand.高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米[J].集成电路应用,2006,23(6):15-15. 被引量：2
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10王桂林.浅析光刻设备与技术的发展[J].知识经济,2009(11):94-94.
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