摘要
分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下,用0.25μmCMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片。基准电压的设计值为1.2V,实测结果表明,在不使用修正技术的情况下,基准电压值的均方差达3mV,温度系数(从-40°C～100°C)为20ppm/°C,电源抑制比(从2～3.3V)80μV/V,验证了理论分析的正确性。
This paper analyses all the error sources in bandgap voltage reference and presents precise mathematical expression and the corresponding improvment method. According to the analysis, a new bandgap voltage reference based on 0. 25 μm CMOS technology is designed and fabricated. The design value is 1.2 V. Testing shows that the standard deviation of the reference voltage is 3 mV, the temperature coefficient is 20 ppm/℃ over --40-100℃ and the supply rejection ratio is 80 μV/V for 2 V to 3.3 V supply. These results prove the theory.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期531-535,共5页
Research & Progress of SSE
基金
天津科技攻关重点项目(编号:033187111)
南开大学与天津中晶微电子公司合作项目的资助
作者简介
陈浩琼（CHENHaoqiong）男，1978年出生，汉族，浙江诸暨人，南开大学微电子系在读博士研究生，主要研究领域为数模混合信号IC以及RFIC设计。E-mail ： chenhaoqiong@126. com
