摘要
在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.
On the basis of NM/FI/FI/NM double spin filter tunnel junction this paper proposes a new type of double spin filter tunnel junction, NM/FI/NI/FI/NM, by inserting a NI layer between two FIs in the old one, NM/FI/FI/NM. Here TMR, NM, FI and NI stand for the tunnelling magnetoresistance, nonmagnetic metal, ferromagnetic and nonmagnetic insulators （semiconductors）, respectively, The effect of thickness of FI and NI on the TMR is studied theoretically in this work under a few biases, using the transfer metrix method in flee electron approximation. The results show that in the new type of double spin filter tunnel junction a large TMR can still be achieved under suitable choice of the thickness.
出处
《四川师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期683-686,共4页
Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）
基金
国家自然科学基金(10447004)
教育部科学研究重点基金
四川省教育厅重点科研基金资助项目
关键词
隧穿磁电阻
非磁绝缘(半导)体间隔层
双自旋过滤隧道结
Tunnelling magnetoresistance
Nonmagnetic insulator （semiconductor） interlayer
Double spin filter tunnel junction
作者简介
联系作者：谢征微（1968-）,男,副教授
