摘要
本文介绍了采用直流磁控反应溅射沉积的Ta_2O_5介质膜及由用同样方法沉积的Ta_2O_5膜和电阻式蒸发沉积的SiO膜组成的双层介质膜的绝缘特性。
Insulating properties of Ta_2O_5 dielectric films and Ta_2O_5-SiO doubly-stacked dielectric films are discribed.Ta_2O_5 films are deposited by DC magnetron reactive sputtering, and SiO films in doubly-stacked dielectric films are deposited by resistance evaporation.
出处
《真空电子技术》
北大核心
1993年第3期40-42,共3页
Vacuum Electronics
基金
国家自然科学基金
关键词
介质膜
双层介质膜
绝缘特性
敏感元器件
薄膜
Ta_2O_5
dielectric films
Ta_2O_6-SiO
doubly-stacked dielectric films
insulating pyoperties
