期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

常压射频冷等离子体清洗技术介绍 被引量：7

A normal pressure radio-frequency cold plasma cleaning technology
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 介绍一项新兴的绿色常压射频冷等离子体喷枪干化学清洗技术,阐述了它在国内外的发展现状、清洗机理和应用前景。 A new green cleaning technology using normal pressure radio-frequency (rf) cold plasma gun is introduced. The status in the world, cleaning mechanism and the aspects of applications the tehnology are described.
作者 王守国
机构地区 中国科学院微电子研究所
出处 《清洗世界》 CAS 2004年第12期32-34,共3页 Cleaning World
关键词 常压 冷等离子体喷枪 清洗机理 应用 normalpressure cold plasmagun cleaning mechanism applications
分类号 O46 [理学—电子物理学] TN409 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1[1]Park J, Henins I, Hermann, Selwyn G S. Gas breakdown in an atmospheric pressure radio-frequency capacitive plasma source [J]. Appl Phys, 2000,89(1):15 ～ 19.
  • 2[2]Jeong J Y, Park J, Henins I. Reaction chemistry in the afterglow of an oxygen-helium, atmospheric-pressure plasma [J].Phys.Plasma 2000,104:8027 ～ 8032.
  • 3[3]Herrman H M, Henins I, Perk J, Selwyn G S. Decontamination of chemical and biological warfare (CBW) agents using an atmospheric pressure plasma jet (APPJ) [J]. Phys. Plasma, 1999,6(5):2284 ～ 2289.
  • 4[4]Jeong J Y, Babayan S E, Tu V J, Park J, Henins I. Etching maters with an atmospheric-pressure plasma jet[J]. Plasma Sources Sci. Technol. 1998,7:282 ～ 285.
  • 5[5]Wang S, Gathen V, Dobele H.F. Discharge comparison of nonequilibrium atmospheric pressure Ar/O2 and He/O2 plasma jets [J]. Appl. Phys. Lett., 2003,83(16): 3272 ～ 3274.
  • 6[6]Wang S, Li H, Zhao L, Ye T. Basic characteristics of an atmospheric pressure RF generated plasma jet [J]. Chinese Phys.,2004,13(2):190～ 195.
  • 7李海江,王守国,赵玲利,叶甜春.常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究[J].半导体技术,2004,29(12):26-29. 被引量：4

二级参考文献14

  • 1SELWYN G S, HERRMANN H W, PARK J, et al.Materials Processing Using an Atmospheric Pressure,RF-Generated Plasma Source [J]. Contrib Plasma Phys,2001, 41,(6): 610-619.
  • 2TU V J, JEONG J Y, SCHUZE A, et al. Tantalum etching with a nonthermal atmospheric- pressure plasma[J]. J Vac Sci Technol A, 2000, 18(6): 2799-2805.
  • 3WANG S, SCHULZ-VON DER GATHEN V, DOELE H F. Discharge comparison of nonequilibrium atmospheric pressure Ar/O2 and He/O2 plasma jets[J]. Appl Phys Lett,2003, 83(16): 3272-3274.
  • 4COOK J M, BENSON B W[J]. J Electrochem Soc,1983, 130(2): 2459
  • 5PARK S K, ECONNOMOU D J.A mathematical model for a plasma-assisted downstream etching reactor[J].J Appl Phys, 1989, 66(7):3256-3267.
  • 6HARTNEY M A , HESS D W, SOANE D S.Oxygen plasma etching for resist stripping and multilayer lithography[J]. J Vac Sci Technol B, 1989,7 (1):137.
  • 7BRUSSAARD G J H, VAN DE SANDEN M C M,SCHRAM D C. Characterization of plasma beam deposited amorphous hydrogenated silicon. RJ Severens[J]. Appl Phys Lett, 1995, 67(4): 491-494.
  • 8SARGENT J, STAROV V, RUST W. Transition in the post-etch wafer-cleaning market and technologies[J].Solid State Technol, 1997,40 (5):171.
  • 9METSELAAR J W, KUZNETSOV V I, ZHIDKOV A G. Photoresist stripping in afterglow of Ar-O2 microwave plasma[J]. J Appl Phys, 1994,75(10):4910-4916.
  • 10PASIERB F, GHANBARI A, AMEEN M S, et al. Characterization of a novel microwave stripper[J]. J Vac Sci Technol A , 1992,10(4):1096-1099.

共引文献3

同被引文献32

引证文献7

二级引证文献13

清洗世界
2004年 第12期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部