三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究

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摘要结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列。经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级。不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决。

作者刘旭焱宋三年刘卫丽宋志棠

机构地区南阳师范学院物理与电子工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

出处《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期270-274,共5页 Journal of Functional Materials and Devices

基金国家自然科学基金(61306007 61006087) 南阳师范学院专项项目(ZX2012017)

关键词三维集成电路相变存储器等离子活化键合智能剥离

分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]

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参考文献12

1宋志棠,刘波,封松林.纳米相变存储技术研究进展[J].功能材料与器件学报,2008,14(1):14-18. 被引量：6
2Xiaobo Ma,Weili Liu,Chao Chen,Jiayi Xu,Zhitang Song,Chenglu Lin.N + plasma-assisted wafer bonding between silicon and chemical vapor deposition oxide at low temperature[J].Materials Science in Semiconductor Processing.2009(4)
3Satish D,Varghese G,Sanjeev J, et al.A 22nm IA multi-CPU and GPU System-on-Chip[].Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC) IEEE International.
4Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Woo-Yeong Cho,Sangbeom Kang,Byung-Gil Choi,Hyung-Rok Oh,Chang-Soo Lee,Hye-Jin Kim,Joon-Min Park,Qi Wang,Mu-Hui Park,Yu-Hwan Ro,Joon-Yong Choi,Ki-Sung Kim,Young-Ran Kim,In-Cheol Shin,Ki-Won Lim,Ho-Keun Cho,Cha.A 90 nm 1.8 V 512 Mb Diode-Switch PRAM With 266 MB/s Read Throughput[].Solid-State Circuits IEEE Journal of.2008
5Zhang, Ji,Ding, Yiqing,Xue, Xiaoyong,Jin, Gang,Wu, Yuxin,Xie, Yufeng,Lin, Yinyin.A 3D RRAM using a stackable multi-layer 1TXR cell[].IEICE Transactions on Electronics.2010
6John H Lau.Evolution,Challenge,and Outlook of TSV (Through-Silicon Via)and3D IC/Si Integration. Advanced Packaging Materials (APM), 2011 International Symposium on . April13-152011
7Tong,QY,G?sele,U. Semiconductor wafer bonding, science and technology . 1999
8DerChang Kau,Tang S,Karpov I. V,Dodge R,Klehn B,Kalb J. A,Strand J,Diaz A,Leung N,Wu J,Lee S,Langtry T,Kuo-wei Chang,Papagianni C,Jinwook Lee,Hirst J,Erra S,Flores E,Righos N,Castro H,Spadini G.A stackable cross point Phase Change Memory[].Electron Devices Meeting (IEDM) IEEE International.2009
9F Rao,Z Song,Y Gong,L Wu,B Liu,S Feng,B Chen.Phase change memory cell using tungsten trioxide bottom heating layer (3 pages)[].Applied Physics.2008
10Ma, Xiaobo,Du, Xiaofeng,Liu, Weili,Chen, Chao,Song, Zhitang,Lin, Chenglu.Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation[].Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures.2009

二级参考文献25

1刘波,宋志棠,封松林.相变型半导体存储器研究进展[J].物理,2005,34(4):279-286. 被引量：20
2刘波,宋志棠,封松林.我国相变存储器的研究现状与发展前景[J].微纳电子技术,2007,44(2):55-61. 被引量：14
3Ovshinsky S R. Reversihle electrical switching phenomena in disordered structures [ J ]. Phys Rev Lett, 1968, 21 (20) : 1450 - 1453.
4Jonathan D Maimon, Kenneth K Hunt, Laura Burcin, et al. Chalcogenide memory arrays: characterization and radiation effects [ J ]. IEEE Trans Nudear Science, 2003, 50 (6) : 1878 - 1884.
5Stefan Lai. Current status of the phase change memory and its future[J]. IEDM, 2003, 255-258.
6Steve Bernaeki, Ken Hunt, Scott Tyson, et al. Total dose radiation response and high temperature imprint characteristics of ehaleogenide based RAM resistor elements [ J ]. IEEE Trans Nuc Sci, 2000, 47(6) : 2528 -2533.
7Manzur Gill, Tyler Lowrey, John Park. Ovonic unified memory - a high- performance nonvolatile memory technology for stand - alone memory and embedded applications [J]. ISSCC, 2002, 12:458-460.
8Woo Yeong Cho, Beak - hyung Cho, Byung - gil Choi, et a/. A 0.18 m 3.0V 64Mb non - volatile phase - transition random - access memory (PCRAM) [ J ]. ISSCC, 2004, 2:40-41.
9Cho S L, Yi J H, Ha Y H, et al. Highly scalable on - axis confined cell structure for high density PRAM beyond 256Mb[ A ]. Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers[C]. 2005, 6B - 1. 96 -97.
10Hyung- rok Oh, Beak -hyung Cho, Woo Yeong Cho, et al. Enhanced write performance of a 64 - Mb phase - change random access memory[ J]. IEEE Journal of Solid- State Circuits, 2006, 41(1) : 122 -126.

共引文献5

1杜雨阳,余宏亮,郑纬民.一种基于代数映射的相变内存矩阵磨损均衡方法[J].计算机研究与发展,2012,49(12):2713-2720. 被引量：2
2王建军,王晓兰,陈经涛,范妮,张静,倪俊超.储能配合物卤化金属酸烷铵的热化学研究[J].广州化工,2015,43(9):23-25.
3丁宗财,周健.低温共沉淀法合成GeTe微晶[J].热加工工艺,2015,44(20):70-73.
4连晓娟,蒋纪元,万相,肖宛昂,王磊.二氧化硅/氟化镁基超低能耗相变集成光子器件[J].电子学报,2024,52(11):3886-3898.
5古迪,陈志峰,李天乐,王晓芳,陈星源,徐祥福,朱伟玲.相变存储材料相变机理的研究进展[J].应用物理,2018,8(8):375-385.

1存储器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2007,14(2):127-127.
2过骐千.电子束、离子束加工技术简介[J].电工技术杂志,1994(5):31-33.
3孙再吉.日立公司成功开发3英寸GaN衬底[J].半导体信息,2007,0(4):20-21.
4芦涛.晶体管的放大和开关作用[J].家庭电子,2005(01X):46-46.
5韩伟华,余金中.利用键合方法转移薄膜材料[J].半导体光电,2000,21(6):422-424.
6李养贤,鞠玉林.中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察[J].电子显微学报,1994,13(6):504-504. 被引量：1
7刘邦武,李超波,李勇涛,夏洋.InP/Si键合技术研究进展[J].电子工艺技术,2010,31(1):12-15. 被引量：3
8孙建洁,吴建伟,陈海峰.SOI材料片缺陷研究[J].电子与封装,2012,12(4):34-37. 被引量：1
9黄继颇,王连卫,林成鲁.宽禁带半导体SiC的离子束合成、掺杂、隔离与智能剥离[J].物理,1998,27(5):297-300.
10宋华清,石兢,张苗,林成鲁.智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究[J].功能材料与器件学报,2003,9(2):219-221. 被引量：1

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