摘要
用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.
基金
国家自然科学基金(批准号:50472068),国家高技术研究发展计划及教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目
作者简介
徐现刚,通信作者.Email:xxu@sdu.edu.cn
