摘要
主要采用钼蓝分光光度计法和电感耦合等离子发射光谱法测定铝合金中低含量的硅,分光光度计法主要通过碱溶、酸化消解样品,在PH值约为0.9时,以抗坏血酸为还原剂,形成硅钼蓝络合物,在波长于810nm处用测其吸光度,试验结果0.3470%,相对标准偏差为0.0648%。而用ICP-AES法采用先碱溶后混酸溶的方法溶解样品,通过基体匹配的方法配制标准溶液,直接测量样品,试验结果为0.3413%,相对标准偏差为0.1002%,回收率在95%~105%,说明两种方法均适合测定铝合金中低含量的硅,但是ICP-AES方法更为简单,可以快速准确测定结果。
作者简介
张晓曼,女,安徽省淮北市,硕士研究生,助理工程师,研究方向:铝及铝合金化学成分分析。
