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薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势被引量：4: 1; 作者王东平谢应涛 +4 位作者欧阳世宏朱大龙许鑫谭特方汉铿《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期380-385,共6页; 本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在... 展开更多; 关键词薄膜晶体管溶胶凝胶法紫外光退火低温工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析被引量：2: 2; 作者谢应涛欧阳世宏 +3 位作者王东平朱大龙许鑫方汉铿《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期427-431,共5页; 基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,... 展开更多; 关键词聚合物有机薄膜晶体管场效应迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究被引量：4: 3; 作者吴崎许玲董承远《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期375-379,共5页; 为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极... 展开更多; 关键词非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银电极磁控溅射平板显示; 在线阅读下载PDF 职称材料

双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响被引量：2: 4; 作者王乃倩张群谢汉萍《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期745-750,共6页; 采用射频磁控溅射法,在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs),并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现,a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率,... 展开更多; 关键词双沟道层氮气掺杂温度稳定性薄膜晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

紫外臭氧处理增强溶液法MoO_3薄膜的空穴注入能力（英文）被引量：1: 5; 作者董丹闵志远 +1 位作者刘俊何谷峰《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1286-1292,共7页; 空穴注入层对有机发光二极管的性能有重要的影响,尤其是当器件中的空穴传输材料的最高占据分子轨道能级较深的时候。近年来有许多关于新型的溶液法空穴注入材料的研究。在本文中,我们对溶液法MoO_3薄膜使用了三种不同的处理方法来研究... 展开更多; 关键词空穴注入能力溶液法有机发光二极管化学计量紫外臭氧氧化; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势被引量：4: 1; 作者王东平谢应涛欧阳世宏朱大龙许鑫谭特方汉铿; 机构上海交通大学电子工程系tft-lcd关键材料及技术国家工程实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期380-385,共6页; 文摘本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望。; 关键词薄膜晶体管溶胶凝胶法紫外光退火低温工艺; Keywords thin film transistor sol-gel process UV annealing low temperature process; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析被引量：2: 2; 作者谢应涛欧阳世宏王东平朱大龙许鑫方汉铿; 机构上海交通大学电子工程系 tft-lcd关键材料及技术国家工程实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期427-431,共5页; 基金教育部新老师基金项目(No.20110073120018); 文摘基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多。无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用。这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要。; 关键词聚合物有机薄膜晶体管场效应迁移率; Keywords polymer organic thin-film transistor field-effect mobility; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究被引量：4: 3; 作者吴崎许玲董承远; 机构上海交通大学电子工程系tft-lcd关键材料及技术国家工程实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期375-379,共5页; 基金国家自然科学基金面上项目(No.61474075) 国家自然科学基金重点项目(No.61136004)~~; 文摘为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm^2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。; 关键词非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银电极磁控溅射平板显示; Keywords a-IGZO TFTs Ag electrodes magnetron sputtering FPDs; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响被引量：2: 4; 作者王乃倩张群谢汉萍; 机构复旦大学材料科学系tft-lcd关键材料及技术国家工程实验室台湾交通大学光电工程学系; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期745-750,共6页; 基金国家自然科学基金重点项目(61136004 61471126)~~; 文摘采用射频磁控溅射法,在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs),并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现,a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率,为23.26 cm2/(V?s),并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位,抑制载流子浓度,使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降,提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现,双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳,这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应,改善器件的稳定性。; 关键词双沟道层氮气掺杂温度稳定性薄膜晶体管; Keywords double channel layers nitrogen doped thermal stability thin film transistors; 分类号 TN321 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外臭氧处理增强溶液法MoO_3薄膜的空穴注入能力（英文）被引量：1: 5; 作者董丹闵志远刘俊何谷峰; 机构上海交通大学tft-lcd关键材料及技术国家工程实验室; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1286-1292,共7页; 基金国家重点研发计划(2017YFB1002900)资助项目。; 文摘空穴注入层对有机发光二极管的性能有重要的影响,尤其是当器件中的空穴传输材料的最高占据分子轨道能级较深的时候。近年来有许多关于新型的溶液法空穴注入材料的研究。在本文中,我们对溶液法MoO_3薄膜使用了三种不同的处理方法来研究其对空穴注入性能的影响,即:在空气中150°C退火;在空气中150°C退火再紫外臭氧处理(UVO) 15 min;只进行UVO处理15 min。结果发现当MoO_3薄膜在空气中150°C退火后,器件的电流最小,空穴注入能力最差。而当MoO_3薄膜经过UVO处理后,器件的电流显著增大,工作电压大幅下降,器件性能接近于蒸镀的MoO_3薄膜的器件。更惊喜的是,这种改善在MoO_3薄膜仅作UVO处理后也可获得。经定量计算发现MoO_3薄膜经过UVO处理后的空穴注入效率能提高到约0.1。XPS分析表明通过UVO处理后,MoO_3薄膜中Mo^(5+)成分减少并且薄膜表面的富氧吸附物被有效地消除,使得其化学计量基本与蒸镀的MoO_3薄膜相同。基于这种经UVO处理的溶液法MoO_3作为空穴注入层,器件的最大电流效率可达到48.3 cd·A^(-1)。; 关键词空穴注入能力溶液法有机发光二极管化学计量紫外臭氧氧化; Keywords Hole injection property Solution process Organic light-emitting diode Stoichiometry UV-ozone treatment; 分类号 O647 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势	王东平谢应涛欧阳世宏朱大龙许鑫谭特方汉铿	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析	谢应涛欧阳世宏王东平朱大龙许鑫方汉铿	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究	吴崎许玲董承远	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响	王乃倩张群谢汉萍	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	紫外臭氧处理增强溶液法MoO_3薄膜的空穴注入能力（英文）	董丹闵志远刘俊何谷峰	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料