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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究
被引量：
1
1
作者
张权生
刘峰奇
+3 位作者
张永照
王占国
Honghai Gao
A.Krier
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期41-43,共3页
简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .
关键词
量子级联
激光器
制备
V-I特性
光功率/电流特性
发光特性
InGaAs
INALAS
半导体激光器
在线阅读
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职称材料
题名
InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究
被引量：
1
1
作者
张权生
刘峰奇
张永照
王占国
Honghai Gao
A.Krier
机构
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
physics departimet
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期41-43,共3页
基金
86 3计划! (编号 86 3-715 -0 0 1-0 111)
国家自然科学基金! (编号6 9786 0 0 2 )&&
文摘
简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .
关键词
量子级联
激光器
制备
V-I特性
光功率/电流特性
发光特性
InGaAs
INALAS
半导体激光器
Keywords
quantum cascade
subband transition
laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究
张权生
刘峰奇
张永照
王占国
Honghai Gao
A.Krier
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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