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原子层淀积系统
1
《集成电路应用》
2006年第10期53-53,共1页
原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术，能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜，并且还能够使用热原子层淀积技术进行生产，这大大增强了设备的灵活性。设备已经具备生产高介电常数绝缘材料...
原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术，能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜，并且还能够使用热原子层淀积技术进行生产，这大大增强了设备的灵活性。设备已经具备生产高介电常数绝缘材料TiN、HfO2薄膜，室温淀积Al2O3薄膜和单层金属钌薄膜的能力，并能够兼容小样品到200mm硅片不同尺寸的操作对象。
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关键词
淀积技术
原子层
系统
AL2O3薄膜
超薄薄膜
HFO2薄膜
高介电常数
低温条件
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职称材料
题名
原子层淀积系统
1
机构
oxford instruments plasma technology
出处
《集成电路应用》
2006年第10期53-53,共1页
文摘
原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术，能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜，并且还能够使用热原子层淀积技术进行生产，这大大增强了设备的灵活性。设备已经具备生产高介电常数绝缘材料TiN、HfO2薄膜，室温淀积Al2O3薄膜和单层金属钌薄膜的能力，并能够兼容小样品到200mm硅片不同尺寸的操作对象。
关键词
淀积技术
原子层
系统
AL2O3薄膜
超薄薄膜
HFO2薄膜
高介电常数
低温条件
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
原子层淀积系统
《集成电路应用》
2006
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