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STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用
1
作者
陆卫
M.vonOrtenberg
W.Dobrowolski
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期353-360,共8页
描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.
关键词
Ⅳ-Ⅵ族
化合物半导体
铅
磁光光谱
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职称材料
题名
STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用
1
作者
陆卫
M.vonOrtenberg
W.Dobrowolski
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室
institute f■r halbleiterphsik und optik
I
f
PAN Wa
r
saw
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期353-360,共8页
基金
联邦德国Alexand von Humboldt基金会部分资助课题
文摘
描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.
关键词
Ⅳ-Ⅵ族
化合物半导体
铅
磁光光谱
Keywords
lead compound semiconductors, far infrared, magnetospectroscopy.
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用
陆卫
M.vonOrtenberg
W.Dobrowolski
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
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