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热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
被引量：
2
1
作者
乌李瑛
柏荣旭
+4 位作者
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第10期795-802,共8页
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA...
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。
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关键词
二氧化铪(HfO2)
原子层沉积(ALD)
热原子层沉积(TALD)
等离子增强原子层沉积(PEALD)
介电常数
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职称材料
题名
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
被引量：
2
1
作者
乌李瑛
柏荣旭
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
机构
上海
交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台
beneq上海代表处
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第10期795-802,共8页
基金
National Ministry of Science and Technology“13thFive-Year”Key Research and Development Program Sub Project for High Performance Computing(2016YFB0200205)
2018 Shanghai Public R&D Service Center Construction Project(18DZ2295400)
文摘
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。
关键词
二氧化铪(HfO2)
原子层沉积(ALD)
热原子层沉积(TALD)
等离子增强原子层沉积(PEALD)
介电常数
Keywords
hafnium oxide(Hf O2)
atomic layer deposition(ALD)
thermal atomic layer deposition(TALD)
plasma enhanced atomic layer deposition(PEALD)
dielectric constant
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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1
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
乌李瑛
柏荣旭
瞿敏妮
田苗
沈赟靓
王英
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
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