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基于FPGA实现的SMS4算法研究 被引量:16
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作者 程海 丁群 +1 位作者 杜辉 黄春光 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2845-2850,共6页
无线局域网产品使用的SMS4密码算法是国内官方公布的第一个商用加密算法。针对用FPGA硬件实现的SMS4分组密码算法电路,分别提出了SMS4商用密码算法的2种实现方案,基于FPGA实现了该加解密算法,并通过仿真验证了算法的正确性。通过对2种... 无线局域网产品使用的SMS4密码算法是国内官方公布的第一个商用加密算法。针对用FPGA硬件实现的SMS4分组密码算法电路,分别提出了SMS4商用密码算法的2种实现方案,基于FPGA实现了该加解密算法,并通过仿真验证了算法的正确性。通过对2种实现方案比较,对运行速度和芯片逻辑资源进行了分析,可知由于采用内部流水线的实现方式,采用2级流水线方式生成Xi+4信号,相对全循环实现方法性能优越,具有较高的运行速度和较小的实现面积。 展开更多
关键词 SMS4算法 全循环 内部流水线 轮密钥
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基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究 被引量:9
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作者 赵晓锋 温殿忠 高来勖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期461-465,共5页
采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不... 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ZNO薄膜 晶粒 晶粒间界
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机械臂鲁棒自适应运动控制 被引量:21
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作者 于志刚 沈永良 宋中民 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1021-1024,共4页
针对具有不确定性的机械臂系统,文中阐述了一种基于势函数和Lyapunov稳定性理论的鲁棒自适应控制方法.它是通过合理选择与控制目标相关的势函数,并根据模型中不确定性的实时变化,在控制器中引入可在线可调参数,使得控制器机械臂能够跟... 针对具有不确定性的机械臂系统,文中阐述了一种基于势函数和Lyapunov稳定性理论的鲁棒自适应控制方法.它是通过合理选择与控制目标相关的势函数,并根据模型中不确定性的实时变化,在控制器中引入可在线可调参数,使得控制器机械臂能够跟踪给定的有界参考信号,跟踪误差收敛到包含零点的很小的邻域内.同时该闭环系统的所有状态半全局最终一致有界(SGUUB).仿真研究表明该方法的有效性. 展开更多
关键词 机械臂控制 LYAPUNOV稳定性 鲁棒控制 势函数
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薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 被引量:4
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作者 赵晓锋 温殿忠 +1 位作者 王天琦 丁玉洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1753-1756,共4页
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM... 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。 展开更多
关键词 纳米多晶硅薄膜 结构特性 LPCVD 退火
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利用MEMS技术研制硅脉象传感器 被引量:3
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作者 王璐 温殿忠 +2 位作者 刘红梅 田丽 莫兵 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1226-1231,共6页
利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥... 利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。 展开更多
关键词 MEMS 硅脉象传感器 MOSFET 纳米硅/单晶硅异质结
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左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移 被引量:3
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作者 王成 王政平 张振辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2321-2326,共6页
设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,... 设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,反射波与透射波有相同的古斯-汉森位移,透射波的古斯-汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡,整体上呈增加趋势;在透射共振点,透射波的古斯-汉森位移达到极大值,且极大值可达入射波波长的数十倍;发现入射角和光轴与界面的角度对透射波的古斯-汉森位移有很大影响.最后简单地探讨了这种双棱镜的潜在应用. 展开更多
关键词 左手材料 单轴各向异性 古斯-汉森位移 折射
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基于空间上下文单类分类器的目标检测算法 被引量:1
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作者 王晓飞 王霄衣 +2 位作者 史翔宇 阎秋静 陈向南 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第B12期236-240,共5页
为了实现对高光谱图像中的目标自动检测,提出了一种基于空间上下文单类分类器的目标检测算法。对所采用的空间与光谱结合的特征、SVDD分类器原理、算法流程等进行研究。首先分析了支持向量数据描述(SVDD,support vector data descripti... 为了实现对高光谱图像中的目标自动检测,提出了一种基于空间上下文单类分类器的目标检测算法。对所采用的空间与光谱结合的特征、SVDD分类器原理、算法流程等进行研究。首先分析了支持向量数据描述(SVDD,support vector data description)的单类分类原理。接着,结合高光谱图像特点,介绍了如何利用空间上下文信息和光谱特征作为SVDD分类器输入特征。然后,在分析比较空间光谱结合单类分类器性能的基础上,说明了采用该算法的原理。最后,给出了该算法的具体实现方法。实验结果表明:该方法优于常规的直接利用光谱信息的CEM等算法,在AVIRIS成像的某国外海军基地数据中,检测飞机目标的精度达到了90%以上。基本满足目标检测的稳定可靠、低虚警率、高识别率等要求。 展开更多
关键词 高光谱图像 目标检测 单类分类 支持向量数据描述
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含左手材料的单、双层结构微波吸波材料设计 被引量:1
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作者 王政平 张振辉 王丽会 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期102-106,共5页
提出了含左手材料的单层微波吸波结构及具有不同结构形式的双层微波吸波材料的设计方案。建立了用于描述其吸波性质的物理模型,利用转移矩阵方法逐一推导出了他们的吸波原理,提出了针对每种微波吸波材料结构的、在设计过程中必须遵从的... 提出了含左手材料的单层微波吸波结构及具有不同结构形式的双层微波吸波材料的设计方案。建立了用于描述其吸波性质的物理模型,利用转移矩阵方法逐一推导出了他们的吸波原理,提出了针对每种微波吸波材料结构的、在设计过程中必须遵从的设计原则。介绍了上述吸波结构的一般设计方法,并给出了经理论推导得出的、在设计过程中可能用到的计算公式。 展开更多
关键词 微波 吸波材料 设计 左手材料
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纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究 被引量:1
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作者 赵晓锋 温殿忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期363-366,共4页
采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,... 采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。 展开更多
关键词 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET 磁传感器 不等位电势 磁灵敏度
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基于流量门限的提前预留竞争解决机制(英文)
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作者 杨九如 王晓飞 +1 位作者 柳春郁 丁群 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期127-132,共6页
基于小尺寸缓存的提前预留机制是有效的竞争解决方案.为支持区分服务,本文研究了两优先级提前预留机制的阻塞模型,分析了变化缓存尺寸与载荷比率条件下光突发交换网络核心节点的阻塞性能.为降低两优先级提前预留机制的突发丢弃率,提出... 基于小尺寸缓存的提前预留机制是有效的竞争解决方案.为支持区分服务,本文研究了两优先级提前预留机制的阻塞模型,分析了变化缓存尺寸与载荷比率条件下光突发交换网络核心节点的阻塞性能.为降低两优先级提前预留机制的突发丢弃率,提出一种基于流量门限的提前预留机制.数值分析确定了合理的缓存尺寸与流量门限,实现了高、低优先级间的缓存使用平衡.仿真结果表明:与原有提前预留机制相比,基于流量门限的提前预留机制保持了全流量状态范围内的阻塞性能,并明显降低了中、低流量状态内的突发丢弃率. 展开更多
关键词 光突发交换 竞争解决 提前预留 流量门限 缓存
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