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含C_(60)聚合物薄膜的制备及其光电特性 被引量:1
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作者 管玉国 戴国瑞 +1 位作者 孙颖 南金 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期51-53,55,共4页
采用PECVD技术,分别在不同衬底上淀积了含C60聚合物薄膜材料。对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱、质谱和表面光电压谱的分析,对异质结光伏特性和薄膜表面横向光电压进行了测量,得到了具有应用前景的可喜效果。
关键词 含C60聚合物 薄膜 谱学表征 PECVD 半导体
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