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题名高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高
被引量：1
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作者
黄华茂
杨光
王洪
章熙春
陈科
邵英华
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机构
华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心
鹤山丽得电子实业有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期980-985,共6页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609)
广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,2012A080302003)
中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093,2013ZP0017)资助项目
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文摘
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。
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关键词
LED
GAN
图形化蓝宝石衬底
高温预生长
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Keywords
LED
GaN
patterned sapphire substrate
high-temperature pre-growth treatment
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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