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真空热蒸发技术制备Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)/n-Si异质结深紫外光电探测器
1
作者
贺顺立
孟宪令
+4 位作者
曹宁
夏斌
孙传隆
栾茹涵
张立春
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期274-282,共9页
利用真空热蒸发技术在硅衬底上制备了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜,研究了生长温度对Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜的形貌、结晶质量和光学性能的影响,探究了成膜的最佳条件。薄膜表现出较强的深紫外吸收(270 nm)和明亮的蓝光发射(460 nm),薄膜的...
利用真空热蒸发技术在硅衬底上制备了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜,研究了生长温度对Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜的形貌、结晶质量和光学性能的影响,探究了成膜的最佳条件。薄膜表现出较强的深紫外吸收(270 nm)和明亮的蓝光发射(460 nm),薄膜的光学带隙为4.31 eV。在此基础上,制备了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)/n-Si异质结光电探测器。该器件表现出明显的深紫外(270 nm)光响应,响应度为0.47 mA·W^(-1),对应的探测率为2.09×10^(9)Jones。本工作为制备硅基Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜和高性能铜基深紫外光电探测器提供了一种新的途径。
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关键词
Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)
热蒸发
生长温度
深紫外
光电探测器
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职称材料
题名
真空热蒸发技术制备Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)/n-Si异质结深紫外光电探测器
1
作者
贺顺立
孟宪令
曹宁
夏斌
孙传隆
栾茹涵
张立春
机构
鲁东大学集成电路学院
鲁东
大学
物理与光电工程
学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期274-282,共9页
基金
国家自然科学基金(Nos.12274189,62075092)
山东省泰山学者青年专家项目(No.tsqn202306239)
烟台市省级以上领军人才配套支持专项(No.2023820205)。
文摘
利用真空热蒸发技术在硅衬底上制备了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜,研究了生长温度对Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜的形貌、结晶质量和光学性能的影响,探究了成膜的最佳条件。薄膜表现出较强的深紫外吸收(270 nm)和明亮的蓝光发射(460 nm),薄膜的光学带隙为4.31 eV。在此基础上,制备了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)/n-Si异质结光电探测器。该器件表现出明显的深紫外(270 nm)光响应,响应度为0.47 mA·W^(-1),对应的探测率为2.09×10^(9)Jones。本工作为制备硅基Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)薄膜和高性能铜基深紫外光电探测器提供了一种新的途径。
关键词
Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)
热蒸发
生长温度
深紫外
光电探测器
Keywords
Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)
Thermal evaporation
Growth temperature
Deep ultraviolet
Photodetector
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
真空热蒸发技术制备Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)/n-Si异质结深紫外光电探测器
贺顺立
孟宪令
曹宁
夏斌
孙传隆
栾茹涵
张立春
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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