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硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较
1
作者
王彩凤
李清山
胡波
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期34-37,共4页
用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon,PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较。结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的...
用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon,PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较。结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能。从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和。
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关键词
白光发射
光致发光
Ⅰ-Ⅴ特性曲线
硫化锌
氧化锌
多孔硅
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职称材料
多孔硅的孔隙对硫化锌／多孔硅光电性质的影响
2
作者
王彩凤
李清山
+1 位作者
胡波
梁德春
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期766-769,共4页
为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和Ⅰ-Ⅴ特性曲线分别研究...
为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和Ⅰ-Ⅴ特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质。结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长。随着衬底PS孔隙的增多,ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光。ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射。ZnS/PS异质结的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0。随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大。该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础。
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关键词
材料
白光
光致发光
I-V特性曲线
孔隙
硫化锌/多孔硅
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职称材料
锂原子光电离截面的无穷阶计算(英文)
3
作者
马晓光
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期34-38,共5页
利用多体微扰理论,把基态锂原子K和L壳层电子的光电离过程中的电子相关效应计算到了无穷阶.用Feynman图技术讨论了基态关联效应和混相近似效应,并计算了与无穷阶末态关联的耦合效应.计算结果与实验和其他理论结果吻合得很好.
关键词
光电离
多体微扰理论
锂原子
耦合方程方法
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职称材料
题名
硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较
1
作者
王彩凤
李清山
胡波
机构
滨州学院
物理
与电子科学
系
鲁东大学物理系
滨州学院飞行学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期34-37,共4页
基金
山东省自然科学基金资助项目(No.Y2002A09)
文摘
用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon,PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较。结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能。从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和。
关键词
白光发射
光致发光
Ⅰ-Ⅴ特性曲线
硫化锌
氧化锌
多孔硅
Keywords
white light emission
photoluminescence
I-V characteristic
ZnS
ZnO
porous silicon
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多孔硅的孔隙对硫化锌／多孔硅光电性质的影响
2
作者
王彩凤
李清山
胡波
梁德春
机构
滨州学院
物理
与电子科学
系
鲁东大学物理系
滨州学院飞行学院
中国科学院半导体研究所
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期766-769,共4页
基金
滨州学院“青年人才创新工程”科研基金资助项目(BZXYQNLG200703)
滨州学院科研基金资助项目(BZXYG1001)
文摘
为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和Ⅰ-Ⅴ特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质。结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长。随着衬底PS孔隙的增多,ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光。ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射。ZnS/PS异质结的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0。随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大。该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础。
关键词
材料
白光
光致发光
I-V特性曲线
孔隙
硫化锌/多孔硅
Keywords
materials
white light
photoluminescencc
I-V characteristic
porosity
ZnS/PS
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
锂原子光电离截面的无穷阶计算(英文)
3
作者
马晓光
机构
鲁东大学物理系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期34-38,共5页
基金
鲁东大学博士启动基金(22270301)
鲁东大学重点科研项目(L20072804)
文摘
利用多体微扰理论,把基态锂原子K和L壳层电子的光电离过程中的电子相关效应计算到了无穷阶.用Feynman图技术讨论了基态关联效应和混相近似效应,并计算了与无穷阶末态关联的耦合效应.计算结果与实验和其他理论结果吻合得很好.
关键词
光电离
多体微扰理论
锂原子
耦合方程方法
Keywords
photoionization
MBPT
Lithium
CEM
分类号
O561.5 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较
王彩凤
李清山
胡波
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
2
多孔硅的孔隙对硫化锌／多孔硅光电性质的影响
王彩凤
李清山
胡波
梁德春
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
锂原子光电离截面的无穷阶计算(英文)
马晓光
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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