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适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析
被引量：
1
1
作者
张国艳
廖怀林
+3 位作者
黄如
Mansun CHAN
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期232-235,共4页
本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模...
本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .
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关键词
场效应晶体管
数模混合集成
失真分析
SOI
MOSFET
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职称材料
一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型
2
作者
张国艳
廖怀林
+3 位作者
黄如
Mansun chan
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1601-1604,共4页
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ...
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .
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关键词
SOI
MOSFET's
高频噪声
模型
短沟SOI器件
热噪声
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职称材料
题名
适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析
被引量：
1
1
作者
张国艳
廖怀林
黄如
Mansun CHAN
张兴
王阳元
机构
北京
大学
微电子学研究所
香港科技大学
电子
工程
系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期232-235,共4页
基金
国家自然科学基金 (No .6991 0 1 61 992 )
文摘
本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .
关键词
场效应晶体管
数模混合集成
失真分析
SOI
MOSFET
Keywords
distortion analysis
power series method
distortion model
SOI MOSFET
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型
2
作者
张国艳
廖怀林
黄如
Mansun chan
张兴
王阳元
机构
北京
大学
微电子所
香港科技大学
电子
工程
系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1601-1604,共4页
基金
国家重点基础研究专项基金 (No G2 0 0 0 3650 1 )
国家自然科学基金 (No 6991 0 1 61 992 )
文摘
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .
关键词
SOI
MOSFET's
高频噪声
模型
短沟SOI器件
热噪声
Keywords
modeling
SOI MOSFET
high frequency noise
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析
张国艳
廖怀林
黄如
Mansun CHAN
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
2
一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型
张国艳
廖怀林
黄如
Mansun chan
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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参考文献
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