铁电纳米材料的制备、性能和应用前景 被引量：10

1

作者 鲁圣国 李标荣 +1 位作者 麦炽良 黄健洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1231-1239,共9页

对近年来有关铁电纳米粉体、纳米复合材料、以及纳米陶瓷的制备,结构和性能进行了介绍.对由于粒子尺寸减小引起的结构和性能的改变及其相关机理进行了讨论.透明铁电纳米复合材料可望在光学存储、光学计算等光学器件中得到应用.而纳米陶... 对近年来有关铁电纳米粉体、纳米复合材料、以及纳米陶瓷的制备,结构和性能进行了介绍.对由于粒子尺寸减小引起的结构和性能的改变及其相关机理进行了讨论.透明铁电纳米复合材料可望在光学存储、光学计算等光学器件中得到应用.而纳米陶瓷由于介电特性、耐电压、抗老化、机械强度等性能的提高,因而可以广泛用于改进现有电容器材料的性能,获得性能更加优良的器件. 展开更多

关键词 铁电体 纳米粉体 纳米陶瓷 纳米复合材料 尺寸效应 介电性能 荧光光谱

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PT/P(VDF-TrFE)复合膜及悬空结构热释电传感器研究 被引量：3

2

作者 李金华 李坤 +2 位作者 陈燕 陈王丽华 蔡忠龙 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第3期190-195,共6页

将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ... 将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。 展开更多

关键词 复合材料 热释电传感器 共聚物 悬空结构

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PT/P(VDF-TrFE)复合材料的压电和热释电性能 被引量：6

3

作者 陈王丽华 蔡忠龙 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第4期247-253,261,共8页

采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅（ＰＴＣａ）／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物（ＰＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化。当陶瓷和聚合物... 采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅（ＰＴＣａ）／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物（ＰＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化。当陶瓷和聚合物在同一方向极化时，其二相的压电性能部分抵消，而热释电性能增强。因此，在一定的体积比下，陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性。最后，测量和讨论了样品的压电常数ｄ３３、厚度耦合系数ｋｔ和热释电系数ｐ。 展开更多

关键词 复合材料 热释电复合材料 压电复合材料

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激光光热偏转法测量固体材料的热扩散率 被引量：3

4

作者 王聪和 谭家麟 施柏煊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期30-33,共4页

介绍近几年来发展起来的激光光热偏转法测量固体和固体薄膜热扩散率的基本原理，并提出优化设计的测量装置，利用此装置测量了康宁玻璃基上硼硅合金薄膜的低热扩散率。

关键词 光热偏转法 测量 热扩散率 固体材料

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0-3型PZT/P[VDF(77)-TrFE(23)]铁电复合物的非线性介电系数 被引量：1

5

作者 张兴元 陈王丽华 蔡忠龙 《功能高分子学报》 CAS CSCD 1999年第3期251-257,共7页

用自建的非线性介电测试装置测得了０ － ３ 型ＰＺＴ／Ｐ［ＶＤＦ（７７） － ＴｒＦＥ（２３）］ 铁电复合物厚片在不同场强和温度下的线性和非线性介电系数。对于ＰＺＴ 体积含量Φ＞ ０ ．３ 的复合物，介电系数ε１ 随测试场强的... 用自建的非线性介电测试装置测得了０ － ３ 型ＰＺＴ／Ｐ［ＶＤＦ（７７） － ＴｒＦＥ（２３）］ 铁电复合物厚片在不同场强和温度下的线性和非线性介电系数。对于ＰＺＴ 体积含量Φ＞ ０ ．３ 的复合物，介电系数ε１ 随测试场强的升高显著增大。在Φ＜ ０ ．１ 时，可用Ｍａｘｗｅｌｌ－ Ｇａｒｎｅｔｔ 方程拟合实验结果。Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ 方程适合于低电场（ ＜ １ ＭＶ／ｍ ） 下复合物介电系数的预测。随着退极化场系数Ｌｚ 的改变，用Ｙａｍａｄａ 模型可拟合不同场强下复合物介电系数随Φ的变化关系。ε１ 的温度依赖性显示了明显的热滞后效应。Φ值增大导致升温过程的居里温度Ｔｃ 降低。Φ＜ ０ ．３ 时，三阶非线性介电系数ε３ 随测试场强的升高而减小，而Φ＞ ０ ．４ 试样的ε３ 在６ＭＶ／ｍ 场强下出现极小值。高Φ值的复合物具有较大的ε３ 。高ＰＺＴ 含量的复合物在相变区出现较大的ε３值。ε３ 温度谱同样显示了与ε１ 类似的表观热滞后现象。 展开更多

关键词 锆钛酸铅 铁电复合物 非线性介电 压电 热电

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弛豫型铁电陶瓷PMN材料的P～E回线特性

6

作者 黄仲臧 陈王丽华 蔡忠龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期941-943,共3页

按照Swarts和Shrout提出的方法制得了单相的钙钛矿结构Pb（Mg1／3Nb2／3）O3陶瓷样品，这种弛豫型铁电体陶瓷显示了不同于正常铁电体的P～E回线随频率变化特性．

关键词 弛豫型 铁电体 P-E回线 铁电陶瓷

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铁电铌酸锶钡薄膜的结构特性研究

7

作者 叶辉 MelanieM.T.Ho MakC.L 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1228-1232,共5页

采用溶胶 凝胶法在Si( 0 0 1 )基片上制备铁电铌酸锶钡薄膜 ,使用X射线衍射、摇摆曲线、扫描电子显微镜、喇曼散射光谱等测试手段研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系 ,制备的薄膜厚度可达到 5 μm 实验发现 ,随着薄膜厚度的增加 ,SB... 采用溶胶 凝胶法在Si( 0 0 1 )基片上制备铁电铌酸锶钡薄膜 ,使用X射线衍射、摇摆曲线、扫描电子显微镜、喇曼散射光谱等测试手段研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系 ,制备的薄膜厚度可达到 5 μm 实验发现 ,随着薄膜厚度的增加 ,SBN60和SBN75薄膜在 ( 0 0 1 )方向的优先取向性越来越好 随着膜层的增加 ,处于底层的膜层能够起到缓冲层的作用 ,以逐渐改善薄膜与基片之间的晶格失配 。 展开更多

关键词 铁电薄膜 铌酸锶钡 微结构 薄膜厚度

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P(VDF-TrFE)膜悬空结构集成热释电线列研究

8

作者 李金华 陈王丽华 +1 位作者 李坤 蔡忠龙 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第2期104-106,共3页

用聚偏氟乙烯－三氟乙烯「Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）」薄膜作１６＊１集成热释电线性阵列的敏感膜，经退火和７５ＫＶ／ｍｍ场强极化后测得其相对介电常数为１２．６，介电损耗约０．０１。为了降低热导和热容，提高探测器的探测灵敏度，... 用聚偏氟乙烯－三氟乙烯「Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）」薄膜作１６＊１集成热释电线性阵列的敏感膜，经退火和７５ＫＶ／ｍｍ场强极化后测得其相对介电常数为１２．６，介电损耗约０．０１。为了降低热导和热容，提高探测器的探测灵敏度，用ＫＯＨ作化学腐蚀完全去除了线性阵列下方的硅衬底，形成悬空结构。 展开更多

关键词 集成热释电线 阵列 热释电传感器 悬空结构

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磁场增强压电悬臂梁震动发电装置 被引量：6

9

作者 韩权威 李坤 +3 位作者 严玲 周金龙 王雨 陈王丽华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期85-88,92,共5页

在压电悬臂梁的自由端施加非均匀磁力增加梁的振幅,探索研究了磁力对悬臂梁的谐振频率漂移、输出电压和输出功率的影响。结果表明,引入非均匀磁场斥力,压电悬臂梁的输出电压和输出功率得到明显提高。当负载电阻为100 kΩ,振动台(LDS)用0... 在压电悬臂梁的自由端施加非均匀磁力增加梁的振幅,探索研究了磁力对悬臂梁的谐振频率漂移、输出电压和输出功率的影响。结果表明,引入非均匀磁场斥力,压电悬臂梁的输出电压和输出功率得到明显提高。当负载电阻为100 kΩ,振动台(LDS)用0.200 V正弦电压驱动时,由尺寸75 mm×7.8 mm×0.35 mm的锆钛酸铅镧(PLZT)长压电片和80 mm×7.8 mm×0.10 mm黄铜片构成的压电悬臂梁在谐振频率的电压和功率输出分别为19.02 V和1.8 mJ。 展开更多

关键词 压电 悬臂梁 振动传感器 压电发电 磁场增强振动

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不锈钢衬底上锆钛酸铅膜的制备 被引量：2

10

作者 李坤 陈王丽华 蔡忠龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期308-309,共2页

以改性二氧化锆为过渡层，用溶胶－凝胶法在不锈钢衬底上成功制备了锆钛比为５２／４８的锆钛酸铅膜。扫描电镜分析表明，膜的表面平整，无裂纹。Ｘ射线分析结果说明，经６５０℃退火３０ｍｉｎ后．膜为纯的钙钛矿相。以衬底为下电极、... 以改性二氧化锆为过渡层，用溶胶－凝胶法在不锈钢衬底上成功制备了锆钛比为５２／４８的锆钛酸铅膜。扫描电镜分析表明，膜的表面平整，无裂纹。Ｘ射线分析结果说明，经６５０℃退火３０ｍｉｎ后．膜为纯的钙钛矿相。以衬底为下电极、直径为０．３２ｍｍ的金上电极，测量了０．８ｕｍ 膜的电滞回线及其它性能，膜的剩余极化为１８ｕＣ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 锆钛酸铅 陶瓷 薄膜 不锈钢衬底 阻挡层 制备

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相扩散阻挡法制备铁酸钴/改性钛酸铋钠0-3复合多铁性陶瓷 被引量：2

11

作者 韩权威 李坤 +2 位作者 彭松 王雨 陈王丽华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期486-490,共5页

通过溶胶-凝胶工艺在CoFe2O4(简称CFO)粉体表面包覆二氧化锆陶瓷层来阻挡烧结过程中铁磁相与铁电相之间的离子扩散.包覆后的CFO与0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.02(Bi0.5K0.5)TO3-0.06BaTiO3(简称BNBT)陶瓷粉体分别按照xCFO/(1-x)BNKLABT(质... 通过溶胶-凝胶工艺在CoFe2O4(简称CFO)粉体表面包覆二氧化锆陶瓷层来阻挡烧结过程中铁磁相与铁电相之间的离子扩散.包覆后的CFO与0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.02(Bi0.5K0.5)TO3-0.06BaTiO3(简称BNBT)陶瓷粉体分别按照xCFO/(1-x)BNKLABT(质量分数x=0.05、0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)混合均匀,并用聚乙烯醇为粘结剂模压成圆片;再经过1050℃烧结制备了铁磁/铁电0-3型复合材料.XRD分析表明:二氧化锆在高温烧结过程中对离子扩散具有良好的阻挡作用.复合陶瓷的耐击穿电压大于75kV/cm.测量结果表明:复合陶瓷的压电应变常数、机电耦合系数、介电常数和剩余极化随CFO含量的增加而降低;磁电耦合系数、介电损耗随CFO含量的增加而有所增大.φ35mm×1.5mm的复合陶瓷样品(x=0.05)在谐振频率(90kHz)和199kA/m偏置磁场下的磁电系数为1.39V/A. 展开更多

关键词 磁电效应 0-3复合 铁电 铁磁

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强电场下部分极化反转对铁电复合物ε2的贡献

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作者 张兴元 陈王丽华 蔡忠龙 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期531-539,共9页

建立起适合厚片材料测试的非线性介电测试系统和相应的数据处理方法；测得了在不同场强和温度下ＰＺＴ／Ｐ［ＶＤＦ（７７）ＴｒＦＥ（２３）］０３ 型铁电复合物厚片的二阶非线性介电系数；根据Ｙａｍａｄａ 模型拟合（一阶） 介... 建立起适合厚片材料测试的非线性介电测试系统和相应的数据处理方法；测得了在不同场强和温度下ＰＺＴ／Ｐ［ＶＤＦ（７７）ＴｒＦＥ（２３）］０３ 型铁电复合物厚片的二阶非线性介电系数；根据Ｙａｍａｄａ 模型拟合（一阶） 介电系数的电场和温度依赖关系得到了退极化场系数Ｌｚ，并由此计算了在各电场和温度下作用于陶瓷粒子的局域场；结果说明在介电系数测试过程中，未预极化复合物试样的二阶非线性介电系数起源于分散相陶瓷粒子在局域场作用下发生的部分极化反转． 展开更多

关键词 极化反转 铁电复合物 非线性介电系数 电场

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16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制

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作者 李金华 袁宁一 陈王丽华 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第3期45-48,共4页

用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位... 用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址。用 6μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离。用 4 0nm厚的Ni Cr膜作面阵的上电极及吸收层。测得该面阵单元在 6 0 0Hz下探测率峰值为 2 .6× 10 7cmHz1/2 /W。 展开更多

关键词 纳米陶瓷/聚合物 复合敏感膜 热释电面阵 探测率

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半导化BST陶瓷晶粒生长的显微表征

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作者 熊兆贤 冼定国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期175-177,共3页

采用显微方法研究半导化（Ｂａ０．９Ｓｒ０．１）（Ｔｉ０．９９９Ｎｂ０．００１）Ｏ３陶瓷晶粒生长的动力学因子，同样化学配方的八种样品在１３００℃中保温时间分别为１，３，６，１０，３０，６０，１００和３００分钟，扫描电镜... 采用显微方法研究半导化（Ｂａ０．９Ｓｒ０．１）（Ｔｉ０．９９９Ｎｂ０．００１）Ｏ３陶瓷晶粒生长的动力学因子，同样化学配方的八种样品在１３００℃中保温时间分别为１，３，６，１０，３０，６０，１００和３００分钟，扫描电镜照片（ＳＥＭ）显示八种样品的平均晶粒大小随保温时间延长而增大，经自动图像处理得到的晶粒生长动力学因子不是常数，在生长初期较小（≈１．５）而在生长后期较大（≈３．５），该数据与ＡＢＯ３型构造的陶瓷晶粒生长的计算机模拟结果一致。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 BST陶瓷 陶瓷晶粒 显微表征

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