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题名CdS/p-Si异质结太阳电池的制备与数值模拟
被引量：2
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作者
赵影文
吴伟梁
高兵
蔡伦
段春艳
沈辉
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机构
广东省光伏技术重点实验室
佛山职业技术学院电子信息系
顺德-中山大学太阳能研究院
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第9期2579-2585,共7页
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基金
高效新材料-晶硅异质结太阳电池制备与性能研究(2014B050505010)
江苏省光伏科学与工程协同创新中心(SCZ1405500002)
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文摘
采用物理气相沉积工艺制备了免掺杂的CdS/p-Si异质结太阳电池,通过数值模拟对影响电池效率的主要因素如前电极、背电极功函数材料及前、后表面复合速率进行模拟分析和优化。实验结果表明,CdS薄膜呈现[111]晶向择优生长,具有良好的结晶性。60 nm厚的CdS薄膜在500~1100 nm波长范围内具有较高的光学透过率,与Si的接触电阻ρc=3.1Ω?cm2。In2O3薄膜的平均透过率和方阻分别为90.88%和74.54Ω/,能有效收集载流子。经过工艺优化,在25℃,AM 1.5测试条件下,得到CdS/p-Si异质结太阳电池(面积1 cm2)效率为10.63%。数值模拟优化后,CdS/p-Si太阳电池的理论最高效率(power conversion efficiency,PCE)可达到25.36%。
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关键词
异质结
太阳电池
薄膜
数值模拟
效率
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Keywords
heterojunction
solar cell
thin films
numerical simulation
efficiency
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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