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用Czochralski方法生长KMgF_3晶体的研究 被引量:2
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作者 张万松 徐孝镇 +2 位作者 孙为 周广刚 冯金波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期725-728,共4页
先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3∶Cr2+、KMgF3∶Eu2+、KMgF3∶Sm2+等无色、透明的优质单晶体。并分析了能够成功地生长优质氟化物晶... 先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3∶Cr2+、KMgF3∶Eu2+、KMgF3∶Sm2+等无色、透明的优质单晶体。并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节。 展开更多
关键词 Czochralski方法 KMgF3晶体 Ar气体环境
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