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辉光放电和压强对准直碳纳米管生长的影响
被引量：
3
1
作者
王必本
Soonil Lee
+2 位作者
郝伟
严辉
Seungho Choi
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第10期80-82,共3页
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的...
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的,有辉光放电时,碳纳米管是准直的。当压强较大时,准直碳纳米管较容易生长,并且随着压强的减小,其平均直径减小和平均长度增大。但压强为5Pa时,准直碳纳米管却不能够生长。最后,分析和讨论了辉光放电和压强对准直碳纳米管生长和结构的影响。
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关键词
辉光放电
化学气相沉积
碳纳米管
压强
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职称材料
题名
辉光放电和压强对准直碳纳米管生长的影响
被引量：
3
1
作者
王必本
Soonil Lee
郝伟
严辉
Seungho Choi
机构
北京工业
大学
应用数理学院
韩国亚洲大学分子科学与技术系
北京工业
大学
量子材料实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第10期80-82,共3页
文摘
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的,有辉光放电时,碳纳米管是准直的。当压强较大时,准直碳纳米管较容易生长,并且随着压强的减小,其平均直径减小和平均长度增大。但压强为5Pa时,准直碳纳米管却不能够生长。最后,分析和讨论了辉光放电和压强对准直碳纳米管生长和结构的影响。
关键词
辉光放电
化学气相沉积
碳纳米管
压强
Keywords
aligned carbon nanotubes,glow discharge,pressure
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
辉光放电和压强对准直碳纳米管生长的影响
王必本
Soonil Lee
郝伟
严辉
Seungho Choi
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
3
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