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SITH耐压容量的控制和调节
1
作者
姚琢
薛伟东
刘肃
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期42-47,共6页
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅
关键词
SITH
正向阻断电压
栅阴击穿电压
静电感应晶闸管
耐压容量
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职称材料
题名
SITH耐压容量的控制和调节
1
作者
姚琢
薛伟东
刘肃
机构
青海师范高等专科学校电子工程系
兰州大学物理
科学
与技术学院
出处
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期42-47,共6页
基金
甘肃省自然科学基金 (ZS0 0 1- A2 5 - 0 4 4 - C)资助项目
文摘
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅
关键词
SITH
正向阻断电压
栅阴击穿电压
静电感应晶闸管
耐压容量
Keywords
SITH
forward blocking voltage
gate cathode breakdown voltage
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SITH耐压容量的控制和调节
姚琢
薛伟东
刘肃
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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