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题名一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法
被引量：3
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作者
李洪亮
翟江
万勇
郭培志
于建强
赵修松
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机构
青岛大学纤维新材料与现代纺织实验室国家重点实验室培育基地青岛大学化学化工与环境学院
潍坊教育学院化学工程系
青岛大学物理学院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期879-884,共6页
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基金
国家自然科学基金(50602028)
青岛大学引进人才启动基金(06300504)
山东省高教访学基金(20081001)资助项目
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文摘
对比研究了经20%的硝酸、浓硫酸,以及半导体工业中用于氧化清洗单晶硅表面的SC-1(1:1:5,体积比,NH4OH/H2O2/H2O,也称RCA-1)和SC-2(1:1:6的HCl/H2O2/H2O,也称RCA-2)氧化液氧化的多孔硅表面组成以及光致发光性质的差异。发现SC-1氧化液能在几十秒的时间内将多孔硅表面的Si-Hx(x=1～3)氧化掉,形成稳定的氧化层,得到具有较强的光致发光性能的氧化多孔硅。而硝酸、浓硫酸和SC-2液在相同温度下处理10min的多孔硅表面的(O)xSi-Hy振动峰仍很明显,前两者处理后的多孔硅发光强度很弱,SC-1处理后的样品虽然发光较强,但不稳定。结合SC-1的组成和多孔硅表面Si-Hx的性质,对反应结果进行了解释。将SC-1和SC-2结合使用,所得的氧化多孔硅具有强的且稳定的光致发光特性。
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关键词
多孔硅
光致发光
SC-1溶液
化学氧化
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Keywords
porous silicon
photoluminescence
SC-1
chemical oxidation
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
O482.31
[理学—固体物理]
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