题名 Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
1
作者
翟培卓 洪根深 王印权 郑若成 谢儒彬 张庆东
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期154-160,共7页
文摘
Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。
关键词
正交试验 FLASH 开关单元 阈值电压 回归模型
Keywords
orthogonal test Flash switch unit threshold voltage regression model
分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种大带宽、高增益的高速跨阻放大器芯片设计
2
作者
班郁
机构
中国电子科技集团公司智能科技研究院 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2025年第1期35-39,共5页
文摘
提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心电路、单端到差分转换电路以及限幅放大器电路3部分组成。在限幅放大器设计中,利用密勒效应引入可调电容平衡高频电路输出电压幅度、带宽和电路稳定性,实现信号宽带接收、限幅放大以及外部驱动等功能,提升高速传输信号的质量。通过在不同工艺角下对芯片进行小信号幅频特性分析、噪声仿真及大信号时域分析,进一步验证了跨阻放大器芯片的带宽、噪声和灵敏度以及传输特性等芯片各项性能指标。
关键词
宽带跨阻放大器(TIA) 高速光收发 密勒效应
Keywords
broadband Transimpedance Amplifier(TIA) high speed optical transceiver Miller effect
分类号
TN45
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
3
作者
葛超洋 杨强 李燕妃 孙家林 谢儒彬
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室 电子科技大学集成电路 科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第11期1036-1042,共7页
文摘
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。
关键词
双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺
Keywords
bipolar device total ionizing dose(TID)radiation intrinsic base region 0.18μm BCD process
分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
题名 一种采用高阶曲率补偿的带隙基准源
4
作者
黄朝轩 李现坤 魏敬和
机构
中国电子科技集团第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《电子技术应用》
2024年第10期7-13,共7页
基金
江苏省自然科学基金(面上)(BK20211041)。
文摘
基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温度系数更低。根据仿真结果,该带隙基准电压在-55℃~125℃温度范围内,输出电压的最大压差为0.3766 mV,温度系数为1.762 ppm/℃,低频时电源抑制比(PSRR)为-73.9 dB。该带隙基准源已应用于某一高精度的低压差线性稳压器(LDO)中。
关键词
带隙基准源 高阶曲率补偿 温度系数 电源抑制比 VBE线性化
Keywords
bandgap reference source higher-order curvature compensation temperature coefficient power supply rejection ratio VBE linearization
分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 大气压非平衡等离子体诊断:电场诱导二次谐波
5
作者
王博 晋绍珲 谭昕怡 卢新培
机构
集成电路与微系统全国重点实验室 中电科奥义健康科技有限公司 南京电子技术研究所 华中科技大学电气与电子工程学院
出处
《南昌大学学报（工科版）》
CAS
2024年第1期125-134,共10页
基金
国家重点研发计划资助项目(2021YFE0114700) 国家自然科学基金资助项目(51625701)。
文摘
电场诱导二次谐波作为一种非侵入式、时间分辨率高达纳秒甚至飞秒量级的测量方法在大气压非平衡等离子的电场诊断中得到广泛关注。基于二次谐波产生的原理,对其适用性进行了讨论。针对纳秒和飞秒激光器在该应用中的特点,搭建了对应的诊断系统。通过使用纳秒激光器测量电场,获得了更高的时间分辨率,并通过平行板电极产生的均匀电场对系统进行标定,获得二次谐波信号强度与电场强度平方的定量关系。基于该定量关系,最终获得大气压等离子体不同位置的瞬态电场。
关键词
电场诱导二次谐波 非侵入式 大气压非平衡等离子 纳秒激光器 飞秒激光器
Keywords
electric-field-induced second-harmonic non-intrusive atmospheric pressure non-equilibrium plasma nanosecond laser femtosecond laser
分类号
TM93
[电气工程—电力电子与电力传动]
题名 一种低电流失配的鉴频鉴相器与电荷泵设计
6
作者
沈诗雅 杨俊浩 张沁枫 魏敬和
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
2024年第6期591-597,共7页
基金
江苏省自然科学基金(BK20211041)。
文摘
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一种低电流失配的鉴频鉴相器和电荷泵。鉴频鉴相器采用改进的边沿触发型结构,D触发器和与门等模块均基于电流模逻辑,能够抑制共模噪声并减小鉴相死区;电荷泵中设计了电流补偿偏置电路,能够减小沟道长度调制效应等因素的影响,降低电流失配。通过抑制鉴频鉴相器和电荷泵的上述非理想效应可以降低其造成的相位误差,进而优化锁相环的带内相噪。在典型工艺角下,3.3 V电源电压供电,电荷泵输出电流为3.2 mA时,补偿后0.7~2.8 V电压范围内充放电电流失配度小于1%,鉴频鉴相器和电荷泵电流噪声为-214.199 dBA/Hz@100 kHz。流片测试得到锁相环的相位噪声为-138.34 dBc/Hz@100 kHz,表明设计的鉴频鉴相器和电荷泵具有低电流失配和低带内相位噪声。
关键词
电流失配 电流补偿 电荷泵 鉴频鉴相器 锁相环
Keywords
current mismatch current compensation charge pump(CP) phase frequency detector(PFD) phase-locked loop(PLL)
分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种高性能数控VGA设计
7
作者
张瑜 俞阳 蒋颖丹 吴舒桐 魏敬和
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《现代电子技术》
北大核心
2024年第24期8-12,共5页
基金
江苏省自然科学基金项目(BK20211041)。
文摘
为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制字实现45 dB的增益调节范围。利用SiGe BiCMOS工艺的高截止频率和低谐波特性,结合负反馈法,实现了高线性度。基于电流舵结构设计跨导单元,结合宽带跨阻放大器,实现了宽增益调节范围。采用Cadence软件进行仿真,经过流片验证,实现了-25~20 dB、-11~34 dB两段增益调节范围,以及35.23 dBm OIP3的高性能数控VGA。所设计的增益放大器可用于中频采样接收机、射频/中频增益级、差分ADC驱动等接收前端电路。
关键词
可变增益放大器 数控 增益控制 跨导增益 前置放大器 高线性度 最高有效位
Keywords
variable gain amplifier digital control gain control transconductance gain preamplifier high linearity most significant bit
分类号
TN722-34
[电子电信—电路与系统]
题名 薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
8
作者
纪旭明 邵红 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室
出处
《中国集成电路》
2024年第6期72-74,81,共4页
文摘
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SOI功率集成工艺的发展提供了相关解决方法。
关键词
PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 面向片上网络和DDR3控制器的网络接口设计与实现
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作者
韩玉洁 魏敬和 鞠虎 高营 田青 李庆鑫 陈俊如
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《微电子学与计算机》
2025年第4期138-144,共7页
基金
国家自然科学基金面上项目(62174150) 国家自然科学基金青年基金(62204233) +1 种基金 江苏省自然科学基金面上项目(BK20211041,BK20211040) 江苏省重点研发计划(BE2023005-1,BE2021003-10)。
文摘
存储器是构成计算系统的重要组成部分。DDR3内存容量大、带宽高、速度高,广泛应用在数字系统领域。片上网络(Network on Chip,NoC)占用资源少、功耗低,实现了复杂的片上功能单元的互连通信。在异构多节点片上网络中,各节点之间的信息交互机制对系统性能有重要影响。设计了面向NoC和DDR3控制器的网络接口,用于接收NoC各种请求类型的数据包,并通过AXI总线使DDR3控制器操作DDR3进行读写,向NoC路由器返回相应的响应包。经过前仿和后仿中大量读写操作的验证,表明网络接口读写操作符合NoC协议和AXI协议的时序要求,读写数据具有一致性,DDR3网络接口功能正确,实现了NoC和DDR3之间的高效通信。
关键词
片上网络 路由器 DDR3 网络接口
Keywords
network on chip router DDR3 network interface
分类号
TN402
[电子电信]
