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Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型: 1; 作者翟培卓洪根深 +3 位作者王印权郑若成谢儒彬张庆东《半导体技术》北大核心 2025年第2期154-160,共7页; Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程... 展开更多; 关键词正交试验 FLASH 开关单元阈值电压回归模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述: 2; 作者杨瀚刘国柱 +7 位作者魏轶聃赵伟魏应强周颖隋志远刘美杰尤兴宇魏敬和《材料导报》北大核心 2025年第21期116-127,共12页; 导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储... 展开更多; 关键词导电桥式随机存储器阻变机制介质层材料电极材料存储器神经形态计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响被引量：2: 3; 作者葛超洋杨强 +2 位作者李燕妃孙家林谢儒彬《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页; 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 展开更多; 关键词双极器件总电离剂量(TID)辐射本征基区 0.18μm BCD工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高性能数控VGA设计: 4; 作者张瑜俞阳 +2 位作者蒋颖丹吴舒桐魏敬和《现代电子技术》北大核心 2024年第24期8-12,共5页; 为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制... 展开更多; 关键词可变增益放大器数控增益控制跨导增益前置放大器高线性度最高有效位; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型: 1; 作者翟培卓洪根深王印权郑若成谢儒彬张庆东; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所集成电路与微系统全国重点实验室; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第2期154-160,共7页; 文摘 Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。; 关键词正交试验 FLASH 开关单元阈值电压回归模型; Keywords orthogonal test Flash switch unit threshold voltage regression model; 分类号 TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述: 2; 作者杨瀚刘国柱魏轶聃赵伟魏应强周颖隋志远刘美杰尤兴宇魏敬和; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所集成电路与微系统全国重点实验室空天集成电路与微系统工信部重点实验室; 出处《材料导报》北大核心 2025年第21期116-127,共12页; 基金国家自然科学基金(U24B6015,62204233,62174150) 江苏省重点研发计划(BE2023005) +1 种基金集成电路与微系统全国重点实验室(JCYQ2310803-1)。; 文摘导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储器技术应运而生。本文阐述了CBRAM的基本概念与基本结构;详细分析了不同介质层中导电细丝的形成机理;对比了不同电极材料和介质层材料制备的器件电学性能的差异;介绍了CBRAM在存储器及神经形态计算领域的应用;总结了忆阻器面临的挑战并对未来的进一步发展提出了建议。; 关键词导电桥式随机存储器阻变机制介质层材料电极材料存储器神经形态计算; Keywords conductive bridge random access memory resistance switching mechanism dielectric layer material electrode material memory neuromorphic computing; 分类号 TN389 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响被引量：2: 3; 作者葛超洋杨强李燕妃孙家林谢儒彬; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所集成电路与微系统全国重点实验室电子科技大学集成电路科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页; 文摘基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。; 关键词双极器件总电离剂量(TID)辐射本征基区 0.18μm BCD工艺; Keywords bipolar device total ionizing dose(TID)radiation intrinsic base region 0.18μm BCD process; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高性能数控VGA设计: 4; 作者张瑜俞阳蒋颖丹吴舒桐魏敬和; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所集成电路与微系统全国重点实验室; 出处《现代电子技术》北大核心 2024年第24期8-12,共5页; 基金江苏省自然科学基金项目(BK20211041)。; 文摘为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制字实现45 dB的增益调节范围。利用SiGe BiCMOS工艺的高截止频率和低谐波特性,结合负反馈法,实现了高线性度。基于电流舵结构设计跨导单元,结合宽带跨阻放大器,实现了宽增益调节范围。采用Cadence软件进行仿真,经过流片验证,实现了-25~20 dB、-11~34 dB两段增益调节范围,以及35.23 dBm OIP3的高性能数控VGA。所设计的增益放大器可用于中频采样接收机、射频/中频增益级、差分ADC驱动等接收前端电路。; 关键词可变增益放大器数控增益控制跨导增益前置放大器高线性度最高有效位; Keywords variable gain amplifier digital control gain control transconductance gain preamplifier high linearity most significant bit; 分类号 TN722-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型	翟培卓洪根深王印权郑若成谢儒彬张庆东	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述	杨瀚刘国柱魏轶聃赵伟魏应强周颖隋志远刘美杰尤兴宇魏敬和	《材料导报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响	葛超洋杨强李燕妃孙家林谢儒彬	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种高性能数控VGA设计	张瑜俞阳蒋颖丹吴舒桐魏敬和	《现代电子技术》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料