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弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计被引量：1: 1; 作者马东阁石家纬 +2 位作者陈维友刘明大高鼎三《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期42-44,共3页; 本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假... 展开更多; 关键词发光二极管结构波导吸收区设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于高速GaAsIC在片检测的电光取样系统: 2; 作者贾刚衣茂斌 +3 位作者孙伟刘宗顺曹杰高鼎三《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期75-77,共3页; 目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号... 展开更多; 关键词电光取样高速集成电路检测半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究: 3; 作者马东阁石家纬 +1 位作者刘明大高鼎三《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期308-314,共7页; 本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP 窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输... 展开更多; 关键词窗口吸收区超辐射发光二极管半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长被引量：1: 4; 作者安海岩杨树人 +2 位作者秦福文王本忠刘式墉《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第3期62-66,共5页; 本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－... 展开更多; 关键词量子阱激光器垒材料 LP-MOVPE; 在线阅读下载PDF 职称材料

准分子激光剥离金刚石薄膜被引量：1: 5; 作者赵方海王庆亚 +3 位作者任临福郑伟马力张玉书《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第2期79-80,共2页; 准分子激光剥离金刚石薄膜赵方海，王庆亚，任临福，郑伟，马力，张玉书（集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词准分子激光器，光解剥离，阈值金刚石材料具有材质硬、热导率高... 展开更多; 关键词准分子激光器光解剥离金刚石薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点被引量：1: 6; 作者王本忠刘式墉 +3 位作者赵方海孙洪波彭宇恒李正廷《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期70-72,共3页; 报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um^1700um范围内。; 关键词砷化铟自组装量子点 MOCVD 磷化铟衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

1．3μm双涂层高功率超辐射发光二极管: 7; 作者马东阁石家纬 +3 位作者刘明大金恩顺李淑文高鼎三《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期27-29,共3页; 在半导体激光器的输出端面上蒸镀ＳｉＯ／ＳｉＯ２双层减反射涂层，我们制造了１．３μｍ超辐射发光二极管，对其输出特性进行了研究，并估算了涂层的剩余反射率，得到了剩余反射率小于１０－３的减反射涂层。; 关键词超辐射发光二极管减反射涂层真空镀膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计被引量：6: 8; 作者刘克田小建 +1 位作者刘悦衣茂斌《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第3期292-299,共8页; 该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的... 展开更多; 关键词宽频带移相器 L波段模拟信号设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计被引量：1: 1; 作者马东阁石家纬陈维友刘明大高鼎三; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期42-44,共3页; 文摘本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。; 关键词发光二极管结构波导吸收区设计; Keywords superluminescent diode(SLD) beam propagation method(BPM); 分类号 TN383 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于高速GaAsIC在片检测的电光取样系统: 2; 作者贾刚衣茂斌孙伟刘宗顺曹杰高鼎三; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期75-77,共3页; 文摘目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。; 关键词电光取样高速集成电路检测半导体激光器; Keywords Electro-optic sampling,High speed integrated circuit,On-wafer test, Semiconductor laser,Microwave; 分类号 TN453 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究: 3; 作者马东阁石家纬刘明大高鼎三; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期308-314,共7页; 基金国家教委博士点基金; 文摘本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP 窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输出腔面反射率对其输出特性的影响.研究结果表明,由于窗口吸收区的有效散射和吸收,很好地抑制了F-P 受激振荡,可用于实现高性能超辐射发光二极管.; 关键词窗口吸收区超辐射发光二极管半导体; Keywords Window absorber Superluminescent diode; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长被引量：1: 4; 作者安海岩杨树人秦福文王本忠刘式墉; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第3期62-66,共5页; 文摘本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。; 关键词量子阱激光器垒材料 LP-MOVPE; Keywords low pressure metalorganic vapour epitaxy,shortwavelength,In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y); 分类号 TN244 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准分子激光剥离金刚石薄膜被引量：1: 5; 作者赵方海王庆亚任临福郑伟马力张玉书; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第2期79-80,共2页; 文摘准分子激光剥离金刚石薄膜赵方海，王庆亚，任临福，郑伟，马力，张玉书（集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词准分子激光器，光解剥离，阈值金刚石材料具有材质硬、热导率高等优点￣［１］，是良好的机械加工刀...; 关键词准分子激光器光解剥离金刚石薄膜; Keywords excimer laser,ablative photodecomposition, threshold; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点被引量：1: 6; 作者王本忠刘式墉赵方海孙洪波彭宇恒李正廷; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期70-72,共3页; 基金集成光电子学国家重点实验室基金; 文摘报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um^1700um范围内。; 关键词砷化铟自组装量子点 MOCVD 磷化铟衬底; Keywords InAs self-assembled quantum dots, LP-MOCVD, InP substrate; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1．3μm双涂层高功率超辐射发光二极管: 7; 作者马东阁石家纬刘明大金恩顺李淑文高鼎三; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期27-29,共3页; 基金国家自然科学基金国家教委博士点基金; 文摘在半导体激光器的输出端面上蒸镀ＳｉＯ／ＳｉＯ２双层减反射涂层，我们制造了１．３μｍ超辐射发光二极管，对其输出特性进行了研究，并估算了涂层的剩余反射率，得到了剩余反射率小于１０－３的减反射涂层。; 关键词超辐射发光二极管减反射涂层真空镀膜; 分类号 TN383 [电子电信—物理电子学] TN305.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计被引量：6: 8; 作者刘克田小建刘悦衣茂斌; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区信息产业部电子十三所; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第3期292-299,共8页; 基金国家自然科学基金(69876014) 博士点基金(97018311); 文摘该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的L波段模拟移相器在1.3～2.1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2.5％,插入损耗波动小于3dB。综合性能均优于国内报道的移相器。; 关键词宽频带移相器 L波段模拟信号设计; Keywords Insertion loss fluctuation, Linear phase-shift, Hyperabrupt varactor; 分类号 TN623 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计	马东阁石家纬陈维友刘明大高鼎三	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于高速GaAsIC在片检测的电光取样系统	贾刚衣茂斌孙伟刘宗顺曹杰高鼎三	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究	马东阁石家纬刘明大高鼎三	《光子学报》 EI CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长	安海岩杨树人秦福文王本忠刘式墉	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	准分子激光剥离金刚石薄膜	赵方海王庆亚任临福郑伟马力张玉书	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点	王本忠刘式墉赵方海孙洪波彭宇恒李正廷	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	1．3μm双涂层高功率超辐射发光二极管	马东阁石家纬刘明大金恩顺李淑文高鼎三	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计	刘克田小建刘悦衣茂斌	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2001	6	在线阅读下载PDF 职称材料