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低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响
被引量：
4
1
作者
石增良
刘大力
+3 位作者
闫小龙
高忠民
徐经纬
白石英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期124-128,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO...
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
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关键词
氧化锌薄膜
MOCVD
低温缓冲层
XRD
SEM
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职称材料
合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响
被引量：
11
2
作者
马雪
庄仕伟
+5 位作者
韩丽锦
胡大强
张源涛
董鑫
吴国光
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期949-955,共7页
通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsP...
通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。
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关键词
钙钛矿
CsPbBr3
量子点
TEM
光致发光
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职称材料
压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响
被引量：
1
3
作者
徐德前
徐佳新
+2 位作者
庄仕伟
李国兴
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期17-22,共6页
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ga As(001)衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长...
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ga As(001)衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对Ga Sb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明Ga Sb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长。在压强条件为10 k Pa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,Ga Sb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向。压强降低至4 k Pa时量子点密度增大为8. 3×109cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善Ga Sb量子点的各向异性。
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关键词
GaSb/GaAs
量子点
各向异性
IMF生长模式
MOCVD
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职称材料
题名
低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响
被引量：
4
1
作者
石增良
刘大力
闫小龙
高忠民
徐经纬
白石英
机构
集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院
中国
科学
院长春应用化学研究所
国家
电化学和光谱研究分析中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期124-128,共5页
基金
国家“863”计划资助项目(2001AA311130)
文摘
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
关键词
氧化锌薄膜
MOCVD
低温缓冲层
XRD
SEM
Keywords
ZnO thin film
metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）
low-temperature grown ZnO buffer layer
XRD
SEM
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响
被引量：
11
2
作者
马雪
庄仕伟
韩丽锦
胡大强
张源涛
董鑫
吴国光
张宝林
机构
集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期949-955,共7页
基金
国家自然科学基金(61574069)资助项目~~
文摘
通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。
关键词
钙钛矿
CsPbBr3
量子点
TEM
光致发光
Keywords
perovskite
CsPbBr 3
quantum dot
TEM
photoluminesecence(PL)
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响
被引量：
1
3
作者
徐德前
徐佳新
庄仕伟
李国兴
张宝林
机构
集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期17-22,共6页
基金
国家自然科学基金(61574069)资助项目~~
文摘
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ga As(001)衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对Ga Sb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明Ga Sb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长。在压强条件为10 k Pa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,Ga Sb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向。压强降低至4 k Pa时量子点密度增大为8. 3×109cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善Ga Sb量子点的各向异性。
关键词
GaSb/GaAs
量子点
各向异性
IMF生长模式
MOCVD
Keywords
GaSb/GaAs quantum dots
anisotropy
IMF growth mode
MOCVD
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响
石增良
刘大力
闫小龙
高忠民
徐经纬
白石英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
合成及薄膜制备条件对CsPbBr3全无机钙钛矿量子点特性的影响
马雪
庄仕伟
韩丽锦
胡大强
张源涛
董鑫
吴国光
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
11
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响
徐德前
徐佳新
庄仕伟
李国兴
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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