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GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究
被引量：
1
1
作者
陈松岩
李玉东
+3 位作者
孙洪波
王本忠
刘式墉
张玉贤
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期140-146,共7页
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ...
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ外延层的位错密度低于用两步升温法得到的ＧａＡｓ材料，ＰＬ谱峰较强，ＧａＡｓ的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到．Ｒａｍａｎ谱ＰＬ谱的峰移表明ＧａＡｓ外延层处于（１００）双轴伸张应力下，应力大小随温度变化是由于ＧａＡｓ、ＩｎＰ之间的热膨胀系数不同。
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关键词
GaAs-InP导质材料
X-射线衍射
低温光致发光谱
RAMAN谱
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职称材料
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
2
作者
陈松岩
李玉东
+3 位作者
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995年第3期1-3,共3页
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制...
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
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关键词
复合材料
金属半导体
场效应
晶体管
外延生长
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职称材料
InGaAsP分别限制量子阱激光器
3
作者
陈松岩
李玉东
+2 位作者
孙洪波
胡礼忠
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期160-164,共5页
长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）...
长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）谱线半峰高宽分别为１８．７ｍｅＶ和２８ｍｅＶ。利用Ｘ射线双晶衍射测得两种材料的晶格失配度不大于１×１０￣（-３）。并生长了四个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构，测得７７Ｋ温度下的ＰＬ谱，分析了阱宽对发光波长及半峰宽的影响，并提出在量子阱激光器中减小界面层影响的方法。在此基础上，生长了分别限制量子阱激光器结构，并利用质子轰击制备出条形结构激光器，测得其最低阈值电流为１００ｍＡ。直流工作光谱峰值波长为１．５２μｍ左右，单面输出外微分量子效率约为３６％。
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关键词
分别限制量子阶激光器
低压金属有机气相沉积
质子轰击
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职称材料
题名
GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究
被引量：
1
1
作者
陈松岩
李玉东
孙洪波
王本忠
刘式墉
张玉贤
机构
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期140-146,共7页
文摘
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ外延层的位错密度低于用两步升温法得到的ＧａＡｓ材料，ＰＬ谱峰较强，ＧａＡｓ的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到．Ｒａｍａｎ谱ＰＬ谱的峰移表明ＧａＡｓ外延层处于（１００）双轴伸张应力下，应力大小随温度变化是由于ＧａＡｓ、ＩｎＰ之间的热膨胀系数不同。
关键词
GaAs-InP导质材料
X-射线衍射
低温光致发光谱
RAMAN谱
Keywords
GaAs/InP heteromaterial
X-ray diffraction
Low-temperature photoluminescence
Raman spectrum
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
2
作者
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
机构
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995年第3期1-3,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
关键词
复合材料
金属半导体
场效应
晶体管
外延生长
Keywords
LP-MOVPE,CaAs-InP composite material,MESFET
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InGaAsP分别限制量子阱激光器
3
作者
陈松岩
李玉东
孙洪波
胡礼忠
刘式墉
机构
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第2期160-164,共5页
文摘
长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）谱线半峰高宽分别为１８．７ｍｅＶ和２８ｍｅＶ。利用Ｘ射线双晶衍射测得两种材料的晶格失配度不大于１×１０￣（-３）。并生长了四个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构，测得７７Ｋ温度下的ＰＬ谱，分析了阱宽对发光波长及半峰宽的影响，并提出在量子阱激光器中减小界面层影响的方法。在此基础上，生长了分别限制量子阱激光器结构，并利用质子轰击制备出条形结构激光器，测得其最低阈值电流为１００ｍＡ。直流工作光谱峰值波长为１．５２μｍ左右，单面输出外微分量子效率约为３６％。
关键词
分别限制量子阶激光器
低压金属有机气相沉积
质子轰击
Keywords
SCH QW Lasers
LP-MOCVD
Proton bombardment
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究
陈松岩
李玉东
孙洪波
王本忠
刘式墉
张玉贤
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996
1
在线阅读
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职称材料
2
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
InGaAsP分别限制量子阱激光器
陈松岩
李玉东
孙洪波
胡礼忠
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996
0
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职称材料
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