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利用金属纳米颗粒改善有机光电器件性能
被引量：
4
1
作者
谢文法
徐凯
+2 位作者
李杨
闻雪梅
张乐天
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期535-541,共7页
有机发光和有机光伏器件为代表的有机光电器件在显示、照明、能源等领域有着广阔的应用前景。有机发光器件具有发光效率高、发光颜色丰富、响应速度快等优点,而有机光伏器件具有质轻、成本低、可实现柔性器件等优点。金属纳米颗粒的表...
有机发光和有机光伏器件为代表的有机光电器件在显示、照明、能源等领域有着广阔的应用前景。有机发光器件具有发光效率高、发光颜色丰富、响应速度快等优点,而有机光伏器件具有质轻、成本低、可实现柔性器件等优点。金属纳米颗粒的表面等离子体共振耦合效应可以提高有机发光器件的效率和有机光伏器件的光电转换效率,因而得到了研究人员的广泛关注。本文综述了金属纳米颗粒改善有机发光/光伏器件性能方面的研究进展,并对其今后的应用趋势进行了讨论。
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关键词
有机光电器件
金属纳米颗粒
表面等离子体共振耦合
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职称材料
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
被引量：
2
2
作者
史志锋
伍斌
+7 位作者
蔡旭浦
张金香
王辉
王瑾
夏晓川
董鑫
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期514-518,共5页
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结...
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
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关键词
As掺杂
p-ZnO/n-SiC
电致发光
金属有机化学汽相沉积
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职称材料
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
3
作者
李宝珠
黄振
+4 位作者
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期780-785,共6页
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜...
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。
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关键词
氮化镓
梯度铝镓氮缓冲层
晶体质量
应力
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职称材料
题名
利用金属纳米颗粒改善有机光电器件性能
被引量：
4
1
作者
谢文法
徐凯
李杨
闻雪梅
张乐天
机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期535-541,共7页
基金
国家自然科学基金(60937001
11074096
+1 种基金
61177026)
教育部新世纪优秀人才支持计划(10-0446)资助项目
文摘
有机发光和有机光伏器件为代表的有机光电器件在显示、照明、能源等领域有着广阔的应用前景。有机发光器件具有发光效率高、发光颜色丰富、响应速度快等优点,而有机光伏器件具有质轻、成本低、可实现柔性器件等优点。金属纳米颗粒的表面等离子体共振耦合效应可以提高有机发光器件的效率和有机光伏器件的光电转换效率,因而得到了研究人员的广泛关注。本文综述了金属纳米颗粒改善有机发光/光伏器件性能方面的研究进展,并对其今后的应用趋势进行了讨论。
关键词
有机光电器件
金属纳米颗粒
表面等离子体共振耦合
Keywords
organic photoelectric devices
metal nanoparticles
surface plasmon resonance
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
被引量：
2
2
作者
史志锋
伍斌
蔡旭浦
张金香
王辉
王瑾
夏晓川
董鑫
张宝林
杜国同
机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
大连理工
大学
物理与
光电
工程
学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期514-518,共5页
基金
国家“973”计划(2011CB302005)
国家自然科学基金(60976010,61006006)资助项目
文摘
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
关键词
As掺杂
p-ZnO/n-SiC
电致发光
金属有机化学汽相沉积
Keywords
As-doping
p-ZnO/n-SiC
EL
MOCVD
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
3
作者
李宝珠
黄振
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期780-785,共6页
基金
国家自然科学基金(61274023
61106003
+6 种基金
61376046
61674068)
国家重点研发计划(2016YFB0400103)
吉林省科技发展计划(20130204032GX
20150519004JH
20160101309JC)
教育部新世纪人才计划(NCET13-0254)资助项目~~
文摘
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。
关键词
氮化镓
梯度铝镓氮缓冲层
晶体质量
应力
Keywords
GaN
step-graded AlGaN buffer
crystallinity
stress
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TN484.4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用金属纳米颗粒改善有机光电器件性能
谢文法
徐凯
李杨
闻雪梅
张乐天
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
史志锋
伍斌
蔡旭浦
张金香
王辉
王瑾
夏晓川
董鑫
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
李宝珠
黄振
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
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