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GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
1
作者
康学军
林世鸣
+5 位作者
廖奇为
高俊华
王红杰
朱家廉
张春晖
王启明
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1997年第7期36-38,共3页
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现...
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。
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关键词
半导体激光器
集成
光子开关
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职称材料
题名
GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
1
作者
康学军
林世鸣
廖奇为
高俊华
王红杰
朱家廉
张春晖
王启明
机构
集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体所
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1997年第7期36-38,共3页
基金
863计划资助
文摘
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。
关键词
半导体激光器
集成
光子开关
Keywords
Semiconductor laser, Integration, Photonic switch, Oxidation
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN29 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
康学军
林世鸣
廖奇为
高俊华
王红杰
朱家廉
张春晖
王启明
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1997
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