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展望21世纪信息光电子与光子技术的发展 被引量:3
1
作者 王启明 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期7-9,共3页
本文报告了我国信息光电子技术研究与开发的若干主要进展和加速实现我国信息光电子产品商品化的措施
关键词 信息光电子技术 光子技术
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As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
2
作者 管和松 李万成 +3 位作者 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期308-310,共3页
利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的Zn... 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。 展开更多
关键词 ZNO GAAS XPS 受主
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影响集成电感性能的关键因素 被引量:3
3
作者 姚飞 成步文 王启明 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期105-109,共5页
片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素。文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属... 片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素。文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下,得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验,对此论点进行了论证。 展开更多
关键词 螺旋电感 品质因子 磁通量 衬底损耗 金属损耗
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面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展
4
作者 陈少武 余金中 +4 位作者 徐学俊 黄庆忠 余和军 屠晓光 李运涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期153-156,149,共5页
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical ... 光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。 展开更多
关键词 硅基光子学 片上光互连 CMOS微纳加工工艺 无源光子集成器件 光子线波导 微腔滤波器
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阵列光电池及其在增量式光电编码器的应用
5
作者 毕克 侯景富 +2 位作者 许添越 张宇 张铁强 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2014年第3期254-257,共4页
为解决航空航天仪器小型化问题,以光电池阵列结构代替狭缝功能,将狭缝与光电池合二为一,使光的二次衍射变为一次衍射,以提高信号质量。由于光电池采用了阵列结构,缩小了面积,降低光源不均匀等影响,安装调试方便,有利于产业化生产和航空... 为解决航空航天仪器小型化问题,以光电池阵列结构代替狭缝功能,将狭缝与光电池合二为一,使光的二次衍射变为一次衍射,以提高信号质量。由于光电池采用了阵列结构,缩小了面积,降低光源不均匀等影响,安装调试方便,有利于产业化生产和航空航天仪器的小型化。实践证明,取消狭缝,采用阵列光电池既提高了信号质量,又降低了加工成本,是增量式光电编码器的重要改进。 展开更多
关键词 光电编码器 阵列光电池 码盘 狭缝
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MIM隧道发光二极管的电子输运研究
6
作者 俞建华 孙承休 王启明 《电子科学学刊》 CSCD 2000年第1期144-150,共7页
本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。结果显示,由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。
关键词 MIM隧道 电子输运 发光二极管
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基于铌酸锂薄膜的Y波导集成调制器设计 被引量:3
7
作者 郭宏杰 刘海锋 +4 位作者 王振诺 谭满清 李智勇 雷明 郭文涛 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期626-630,共5页
近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计... 近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB,半波电压<1.5 V的高性能调制器。本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据。 展开更多
关键词 电光调制器 TFLN Y波导
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与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
8
作者 曾凡平 韩培德 +4 位作者 高利朋 冉启江 毛雪 赵春华 米艳红 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第5期38-40,共3页
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和A... 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。 展开更多
关键词 硅基光电探测器 深能级缺陷 Si/Ge自组装
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基于氨基酸衍生物盐酸盐添加剂制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池
9
作者 胡蝶 孙庆 +3 位作者 孟祥歆 凌锦翔 成彬 康博南 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期92-101,共10页
钙钛矿太阳能电池的快速发展使其成为新能源领域最具竞争力的光伏器件之一,然而,其在功率转换效率(PCE)和稳定性方面仍有很大的改进空间.本文引入D-苯基甘氨酸甲酯盐酸盐(PGMECl)作为钙钛矿中的添加剂,PGMECl含有的苯环、酯基、—NH3+... 钙钛矿太阳能电池的快速发展使其成为新能源领域最具竞争力的光伏器件之一,然而,其在功率转换效率(PCE)和稳定性方面仍有很大的改进空间.本文引入D-苯基甘氨酸甲酯盐酸盐(PGMECl)作为钙钛矿中的添加剂,PGMECl含有的苯环、酯基、—NH3+末端和Cl-离子等多个官能团共同作用,可与未配位的Pb2+反应,钝化钙钛矿中的缺陷,使钙钛矿晶粒更加致密、表面粗糙度下降、电荷载流子的非辐射复合减少,并通过调整能级排列,使其更适合在倒置钙钛矿太阳能电池中传输电荷.实验结果表明,PGMECl改性器件的冠军效率为21.04%,远高于基础器件(17.79%).迟滞的减少也说明离子迁移的减少.含有PGMECl添加剂的器件在空气中[相对湿度(RH)为(40±5)%]黑暗条件下未封装老化1000h后,功率转换效率仍可保持初始效率的70%,而基础器件在保存500h后效率降至50%. 展开更多
关键词 D-苯基甘氨酸甲酯盐酸盐 钙钛矿太阳能电池 功率转换效率 稳定性
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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量:14
10
作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页
主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列
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射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性 被引量:11
11
作者 张源涛 李万程 +4 位作者 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期73-75,共3页
采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。
关键词 射频磁控溅射 结构 光学特性 ZNO薄膜 光荧光谱 氧化锌薄膜 外延生长
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MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性 被引量:9
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作者 马艳 杜国同 +4 位作者 杨天鹏 李万程 张源涛 刘大力 姜秀英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期305-308,共4页
采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射... 采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射峰 ,其FWHM数值为 0 1 84°。Raman散射谱中 ,4 35 32cm- 1 处喇曼峰为ZnO的E2 (high)振动模 ,A1 (LO)振动模位于 5 75 32cm- 1 处。XPS分析表明 :ZnO薄膜表面易吸附游离态氧 ,刻蚀后ZnO薄膜O1s光电子能谱峰位于 5 30 2eV ,更接近Zn—O键中O1s电子结合能 (5 30 4eV)。PL谱中 ,在3 2 8eV处观察到了自由激子发射峰 ,而深能级跃迁峰位于 2 5 5eV ,二者峰强比值为 4 0∶1 。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 金属有机化学气相沉积 结构 光致发光光谱
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激发功率、退火温度及Tm^(3+)浓度对Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺YF_3粉末上转换发光性质的影响 被引量:11
13
作者 曹春燕 秦伟平 +7 位作者 张继森 张继双 王艳 金叶 尉国栋 王国凤 王丽丽 朱培芬 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期705-709,共5页
用水热法合成了Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺杂YF_3上转换发光粉末,并对其进行了结构和形貌表征。对上转换发射谱的研究表明,在相对低激发功率下,可以观察到比较明亮的近白色发光,且随着激发功率的增大,上转换发射强度迅速增大并达到饱... 用水热法合成了Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺杂YF_3上转换发光粉末,并对其进行了结构和形貌表征。对上转换发射谱的研究表明,在相对低激发功率下,可以观察到比较明亮的近白色发光,且随着激发功率的增大,上转换发射强度迅速增大并达到饱和状态,继续增大激发功率,出现发光猝灭现象。退火温度对上转换发射强度的影响表明,随着退火温度的升高,Tm^(3+),Er^(3+)的所有特征发射峰均相对增强。上转换发射谱随Tm^(3+)浓度变化关系表明,在相对低Tm^(3+)掺杂浓度下,Tm^(3+)-Er^(3+)相互作用占优势,Tm^(3+)把能量传递给Er^(3+),Er^(3+)发射相对增强;在相对高掺杂浓度下,Tm^(3+)-Tm^(3+)之间交叉弛豫过程占优势,Er^(3+)发射相对减弱。从实验结果看出,该粉末的上转换发光非常丰富,从紫外到红外均有发射,是一种潜在的白色上转换发光及三维固体显示材料。 展开更多
关键词 YF3粉末 上转换 发射光谱 退火温度
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新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质 被引量:7
14
作者 白青龙 张春花 +3 位作者 程传辉 李万程 申人升 杜国同 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1195-1200,共6页
以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发... 以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移. 展开更多
关键词 可溶性酞菁 合成 光致发光 电致发光 红移
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酞菁及类酞菁的结构与紫外可见光谱研究 被引量:13
15
作者 白青龙 张春花 +3 位作者 夏道成 程传辉 范昭奇 杜国同 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期61-65,共5页
介绍了酞菁、亚酞菁和超酞菁的典型结构及其吸收光谱,分别介绍了酞菁和亚酞菁的衍生物、缩合物的结构与最大吸收波长之间的关系以及它们潜在的应用前景,同时分析讨论了几种扩展的酞菁类似物的结构特点和它们吸收性能差的原因。
关键词 酞菁 类酞菁 结构 紫外光谱
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彩色有源OLED显示屏上像素仿真及外围驱动电路设计 被引量:7
16
作者 才华 司玉娟 +1 位作者 郎六琪 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期618-623,共6页
有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(A... 有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(Active M atrix OLED,AMOLED)上像素驱动电路的仿真,确定彩色OLED显示屏维持白平衡时R、G、B三种OLED所需的驱动电压、电流等工作参数。OLED的发光亮度和电压并不是线性关系,为了维持显示屏的色彩均衡性,对图像数据编码进行校正,保证了灰阶电压与发光亮度呈线性变化。从BMP格式的文件中提取出图像数据部分,进行数据变换,生成符合INTEL HEX文件格式并且满足D/A输出要求的数据文件,刻录到E2PROM中,完成外围驱动电路所需要的图像数据准备。AMOLED显示屏采用逐行扫描的显示方式,因此外围驱动电路的目的是要在行、列扫描有效的同时,为每个像素送入相应的灰阶数据。现在,OLED专用驱动芯片比较少见,而液晶驱动芯片具有集成度高,电压输出范围大等优点,尤其是其内部集成了数据移位寄存器、数据锁存器、D/A转换器等电路,所以设计了基于FPGA和TFT-LCD液晶驱动芯片的外围驱动电路,实现了AMOLED显示屏的彩色图像显示。 展开更多
关键词 有源OLED 像素驱动电路 仿真 灰阶 外围驱动电路
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超低阈值横向腔光子晶体面发射激光器 被引量:4
17
作者 郑婉华 王宇飞 +4 位作者 周文君 渠红伟 张建心 齐爱谊 刘磊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3198-3201,共4页
首次在无DBR结构的商业外延波导晶片上实现了电泵横向腔光子晶体面发射激光器(LC-PCSEL)。深孔刻蚀技术使光子晶体深达2.6μm,穿透有源区,对有源区的模式直接调制。通过较小区域的光子晶体与FP腔的融合集成,利用带边模式Γ2-1的横向振... 首次在无DBR结构的商业外延波导晶片上实现了电泵横向腔光子晶体面发射激光器(LC-PCSEL)。深孔刻蚀技术使光子晶体深达2.6μm,穿透有源区,对有源区的模式直接调制。通过较小区域的光子晶体与FP腔的融合集成,利用带边模式Γ2-1的横向振荡垂直输出特性,室温下获得了1553.8 nm的面发射激光,线宽0.4 nm。超低阈值电流密度为667 A/cm2,纵向和横向的远场发散角分别为7.5°和5.5°。LC-PCSEL的设计为电注入面发射激光器的研制提供了新的思路,为该类激光器的批量生产提供了可能。 展开更多
关键词 光子晶体 激光器 面发射 横向腔 阈值电流密度
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光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响 被引量:7
18
作者 李香萍 张宝林 +6 位作者 董鑫 张源涛 夏晓川 赵磊 赵旺 马艳 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期139-143,共5页
采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到... 采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 光辅助金属有机化学气相沉积 光学特性
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283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器 被引量:8
19
作者 王晓勇 种明 +1 位作者 赵德刚 苏艳梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期1011-1014,共4页
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。... 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形,光谱响应起止波长为260~310 nm,峰值响应波长283 nm。零偏压下,暗电流密度为2.7×10-10Acm-2,对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2,峰值响应率为13 mA/W,对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下,峰值响应率达到148 mA/W,对应的外量子效率达到63%。 展开更多
关键词 紫外探测器 ALGAN 日盲 量子效率
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溶剂热法直接合成酞菁铜晶体 被引量:5
20
作者 夏道成 于书坤 +7 位作者 马春雨 程传辉 郭振强 纪冬梅 范昭奇 杜锡光 王旭 杜国同 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期244-246,共3页
以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.
关键词 溶剂热合成 酞菁铜 单晶 喹啉
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