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基于两步烧结改善ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷性能研究: 1; 作者周利斌刘远 +3 位作者陈红霖苟晨源曹文斌刘建科《陕西科技大学学报》北大核心 2025年第2期149-155,162,共8页; 采用两步烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷,通过单一变量法控制烧结过程中烧结温度T_(1)、T_(2)和保温时间t_(1)、t_(2)来改善压敏陶瓷性能.研究结果表明,平均晶粒尺寸d随着T_(1)的增大而增大,漏电流密度J_(L)随着T_(2)的增大而减小... 展开更多; 关键词 ZNO ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷两步烧结; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究: 2; 作者李博马淑芳 +9 位作者阳智程睿思刘思敏王嘉惠郝晓东尚林仇伯仓董海亮韩丹许并社《光谱学与光谱分析》北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页; InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可... 展开更多; 关键词 InGaAs/GaAs多量子阱 MBE生长高分辨率X射线衍射谱光致发光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的光学特性影响: 3; 作者刘振华刘胜威 +1 位作者王一心单恒升《人工晶体学报》北大核心 2025年第8期1433-1440,共8页; 本研究聚焦Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料光学特性的影响。通过AFM表征,发现插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层的InGaN材料的表面粗糙度从94.42 nm显著减小到54.72 nm,降低了42.05%。HRXRD测试表明... 展开更多; 关键词 In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱电子阻挡层阱垒界面质量非辐射复合中心; 在线阅读下载PDF 职称材料

频谱可分辨的多光子干涉及应用研究进展: 4; 作者袁博欣李其旗 +1 位作者李百宏金锐博《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期78-98,共21页; 多光子干涉现象通常是在时域中观测的,其干涉图像是通过记录符合计数作为时间的参数而获得。因此,其频谱信息被积分和丢失。频谱可分辨测量可以直接分辨每个光子的频率,去掉对频率的积分,从而获得频谱干涉的信息。由于其能观测到时域无... 展开更多; 关键词频谱可分辨测量多光子干涉 HOM干涉 N00N态干涉 Franson干涉双光子干涉; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于两步烧结改善ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷性能研究: 1; 作者周利斌刘远陈红霖苟晨源曹文斌刘建科; 机构陕西科技大学物理与信息科学学院; 出处《陕西科技大学学报》北大核心 2025年第2期149-155,162,共8页; 基金国家自然科学基金项目(51802183) 陕西科技大学博士科研启动基金项目(2017BJ-23)。; 文摘采用两步烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷,通过单一变量法控制烧结过程中烧结温度T_(1)、T_(2)和保温时间t_(1)、t_(2)来改善压敏陶瓷性能.研究结果表明,平均晶粒尺寸d随着T_(1)的增大而增大,漏电流密度J_(L)随着T_(2)的增大而减小;t_(1)增大会使压敏陶瓷本征缺陷锌间隙和氧空位的数量增大,t_(2)时间过长会抑制锌间隙的生成;所有样品在低频时的损耗比高频时小很多;样品的击穿场强E_(1mA)与d的变化规律相反;非线性系数α与漏电流密度J_(L)的变化规律相反.当T_(1)为950℃,t_(1)达到30min,T_(2)为925℃,t_(2)达到45 min时,α为最大值67.91,J_(L)为最小值0.48μA/cm^(2),E_(1mA)为最大值477.32 V/mm.本研究对提升ZnO压敏陶瓷性能有重要意义.; 关键词 ZNO ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷两步烧结; Keywords ZnO ZnO-Bi_(2)O_(3)-based varistors two-step sintering; 分类号 TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究: 2; 作者李博马淑芳阳智程睿思刘思敏王嘉惠郝晓东尚林仇伯仓董海亮韩丹许并社; 机构陕西科技大学西安市化合物半导体材料与器件重点实验室陕西科技大学材料科学与工程学院陕西科技大学物理与信息科学学院太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 出处《光谱学与光谱分析》北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页; 基金陕西省秦创原“科学家+工程师”队伍建设基金项目(2023KXJ-188) 国家自然科学基金项目(52375572) 山西浙大新材料与化工研究院科研项目(2022SX-TD018)资助。; 文摘 InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可以高精度的控制材料的组分和厚度,从而优化光学性能。尽管InGaAs/GaAs MQWs在许多方面取得了进展,但在In组分较高的InGaAs量子阱中,由于晶格失配会导致位错产生,进而引发界面缺陷,影响材料的晶体质量和光学性能,所以通过MBE生长调控来提高晶体质量对改善光学性质极具意义。在MBE生长过程中,利用生长温度来优化生长动力学,进而调控原子在界面的迁移,尤其是In、Ga原子的迁移,对于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和晶体质量有着至关重要的作用。为了探究生长温度对MQWs晶体质量、界面质量和发光性能的影响,我们采用MBE方法分别在505和490℃下生长了两组InGaAs/GaAs MQWs样品,并使用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、光致发光(PL)进行了晶体质量和光学性能表征分析。HRXRD结果表明,由于高温下生长有利于提高Ⅲ族原子动力学和原子扩散长度,使得生长工艺中In和Ga原子的迁移增加,这有利于原子在外延层表面找到能量较低的位置形核;因此,在505℃生长的MQWs样品的缺陷密度为1.02×10^(5) cm^(-2),较小,缺陷少应力小,具有较好的晶体质量和界面质量。此外,光致发光性能测试分析结果表明,在505℃生长的MQWs样品发光强度高,发光均匀性良好,并进一步证明其晶体质量优于490℃生长的样品。说明了合适的生长温度有利于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和光学性能。该工艺参数对MBE制备MQWs材料具有重要的参考意义。; 关键词 InGaAs/GaAs多量子阱 MBE生长高分辨率X射线衍射谱光致发光谱; Keywords InGaAs/GaAs multiple quantum wells MBE growth HRXRD spectrum PL spectrum; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的光学特性影响: 3; 作者刘振华刘胜威王一心单恒升; 机构浙江大学常州工业技术研究院陕西科技大学材料科学与工程学院陕西科技大学物理与信息科学学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第8期1433-1440,共8页; 基金远程物联网控制器系统开发(210230007)。; 文摘本研究聚焦Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料光学特性的影响。通过AFM表征,发现插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层的InGaN材料的表面粗糙度从94.42 nm显著减小到54.72 nm,降低了42.05%。HRXRD测试表明,材料的螺位错与刃位错密度分别下降了13.39%和45.53%,且阱垒界面的陡峭程度显著提升。PL谱分析结果表明,该材料表现出发光峰半高峰全宽变窄和发光强度增强的特征,同时观测到发光波长呈现一定程度的红移现象。研究结果发现,插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层能够有效降低In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的缺陷密度,有效降低非辐射复合效率,进而增强材料的发光性能。此研究为高效太阳能电池的制备提供了必备的实验基础。; 关键词 In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱电子阻挡层阱垒界面质量非辐射复合中心; Keywords In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN multiple quantum well electron blocking layer interfacial quality between trap and barrier non-radiation recombination center; 分类号 O484 [理学—固体物理] TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动] TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名频谱可分辨的多光子干涉及应用研究进展: 4; 作者袁博欣李其旗李百宏金锐博; 机构陕西科技大学物理与信息科学学院武汉工程大学光学信息与模式识别湖北省重点实验室; 出处《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期78-98,共21页; 基金国家自然科学基金资助项目(12074309,92365106,12074299) 湖北省自然科学基金资助项目(2022CFA039)。; 文摘多光子干涉现象通常是在时域中观测的,其干涉图像是通过记录符合计数作为时间的参数而获得。因此,其频谱信息被积分和丢失。频谱可分辨测量可以直接分辨每个光子的频率,去掉对频率的积分,从而获得频谱干涉的信息。由于其能观测到时域无法观测到的干涉现象,且测量时间短,测量动态范围大,因而具有很好的研究价值和应用前景。文章首先综述频谱可分辨的双光子(包括HOM干涉、N00N态干涉、Franson干涉)、三光子和四光子等多光子干涉的研究进展。然后介绍这些干涉在产生高维频率纠缠、时频网格态及其在量子精密测量中的应用。最后对这一领域作总结和展望。; 关键词频谱可分辨测量多光子干涉 HOM干涉 N00N态干涉 Franson干涉双光子干涉; Keywords spectrally resolved measurement multi-photon interference HOM interference N00N state interference Franson interference two-photon interference; 分类号 TB9 [机械工程—测试计量技术及仪器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	基于两步烧结改善ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷性能研究	周利斌刘远陈红霖苟晨源曹文斌刘建科	《陕西科技大学学报》北大核心	2025	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究	李博马淑芳阳智程睿思刘思敏王嘉惠郝晓东尚林仇伯仓董海亮韩丹许并社	《光谱学与光谱分析》北大核心	2025	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的光学特性影响	刘振华刘胜威王一心单恒升	《人工晶体学报》北大核心	2025	在线阅读下载PDF 职称材料
4	频谱可分辨的多光子干涉及应用研究进展	袁博欣李其旗李百宏金锐博	《中国测试》 CAS 北大核心	2024	在线阅读下载PDF 职称材料