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GaN基LED中V形坑缺陷的研究进展
1
作者
刘青明
尚林
+5 位作者
邢茹萍
侯艳艳
张帅
黄佳瑶
马淑芳
许并社
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期968-973,共6页
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(...
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(-2),内量子效率却超过50%。V形坑是GaN基LED外延层中一种常见的倒金字塔缺陷,6个侧面与c面的夹角均为62°。基于V形坑缺陷对LED光电性能影响的研究成果,介绍了V形坑中侧壁量子阱屏蔽位错理论:侧壁量子阱的In含量较低,其势垒高度大于c面量子阱,故在穿透位错周围形成了高势垒,阻挡载流子被非辐射复合中心所捕获。此外,还综述了V形坑缺陷的形成机理、附近区域的发光特性、对LED电学特性的影响以及通过优化V形坑调控LED光电性能的研究。
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关键词
氮化镓
V形坑缺陷
非辐射复合
光电性能
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职称材料
题名
GaN基LED中V形坑缺陷的研究进展
1
作者
刘青明
尚林
邢茹萍
侯艳艳
张帅
黄佳瑶
马淑芳
许并社
机构
陕西科技大学前沿科学与技术转移研究院材料原子·分子科学研究所
太原理工
大学
新
材料
界面
科学与
工程教育部重点实验室
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期968-973,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0401803)
山西省重点研发计划项目(201703D111026)。
文摘
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(-2),内量子效率却超过50%。V形坑是GaN基LED外延层中一种常见的倒金字塔缺陷,6个侧面与c面的夹角均为62°。基于V形坑缺陷对LED光电性能影响的研究成果,介绍了V形坑中侧壁量子阱屏蔽位错理论:侧壁量子阱的In含量较低,其势垒高度大于c面量子阱,故在穿透位错周围形成了高势垒,阻挡载流子被非辐射复合中心所捕获。此外,还综述了V形坑缺陷的形成机理、附近区域的发光特性、对LED电学特性的影响以及通过优化V形坑调控LED光电性能的研究。
关键词
氮化镓
V形坑缺陷
非辐射复合
光电性能
Keywords
GaN
V-shaped pit defects
non-radiative recombination
optical and electrical property
分类号
TN311.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基LED中V形坑缺陷的研究进展
刘青明
尚林
邢茹萍
侯艳艳
张帅
黄佳瑶
马淑芳
许并社
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2020
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