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高性能立方碳化硅导热填料的制备与性能研究 被引量:2
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作者 张亚丽 王晓刚 +1 位作者 张蕾 段晓波 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第3期937-941,共5页
以化学有机改性对立方碳化硅(β-SiC)导热填料进行表面修饰,通过红外光谱对处理后β-SiC粉体表征。以硅烷偶联剂、硬脂酸以及二者的结合为改性剂,研究不同改性剂对β-SiC粉体固含量、吸油值及导热系数的影响。实验结果表明,在硅烷偶联剂... 以化学有机改性对立方碳化硅(β-SiC)导热填料进行表面修饰,通过红外光谱对处理后β-SiC粉体表征。以硅烷偶联剂、硬脂酸以及二者的结合为改性剂,研究不同改性剂对β-SiC粉体固含量、吸油值及导热系数的影响。实验结果表明,在硅烷偶联剂中KH564的改性效果较为明显;通过对硬脂酸以及两种表面改性剂结合使用的研究,结果表明改性效果相比单一改性剂进一步提升,硬脂酸和KH564的效果较好,导热系数达到1.46 W/(m·K),相比未改性的β-SiC提高了53.68%,比使用单一KH564改性提高了20.25%。 展开更多
关键词 立方碳化硅 硅烷偶联剂 硬脂酸 导热系数
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SiCAl电子封装材料制备工艺研究进展 被引量:1
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作者 谢斌 王晓刚 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期116-120,共5页
介绍SiCAl复合材料,综述了国内外SiCAl电子封装材料及构件所涉及的无压浸渗,粉末注射成型,共喷射沉积等多种制备工艺;并分析各种方法的优缺点,指出SiCAl制备方法的发展趋势。
关键词 SiCAl复合材料 无压浸渗 复合料浆 注射成型 综述
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立方碳化硅弹性磨块制备工艺、性能与应用 被引量:1
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作者 冯先杰 王晓刚 +2 位作者 樊子民 陆树河 赵凯 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第3期752-755,761,共5页
应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织、结构及性能,并在应用现场进行了工业实验。研究结果表明:磨块中立方碳化硅的质量分数为8.5%,热压机上... 应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织、结构及性能,并在应用现场进行了工业实验。研究结果表明:磨块中立方碳化硅的质量分数为8.5%,热压机上板温度160℃、下板温度为163℃、压力450 kN时弹性磨块巴氏硬度达到最大值55 Hba,气孔率及吸水率为最小值。工业实验中磨抛全抛釉瓷砖,其表面光泽度达到70 GU之上,明显高于行业水平。 展开更多
关键词 立方碳化硅 磨抛加工 建筑陶瓷 光泽度
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β-SiC微粉纯化试验研究 被引量:2
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作者 白枭 王晓刚 段晓波 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第1期278-282,共5页
为避免碳化硅微粉中的杂质对其产品质量和性能产生较大影响,现对β-SiC原料中含量较多的几种杂质进行去除试验研究。通过静态煅烧和物理浮选结合法分离游离碳,采用酸碱处理法去除原料中含有的游离硅、二氧化硅、铁单质及其氧化物,借助... 为避免碳化硅微粉中的杂质对其产品质量和性能产生较大影响,现对β-SiC原料中含量较多的几种杂质进行去除试验研究。通过静态煅烧和物理浮选结合法分离游离碳,采用酸碱处理法去除原料中含有的游离硅、二氧化硅、铁单质及其氧化物,借助化学分析法、激光粒度仪和扫面电镜对纯化后的碳化硅样品进行分析。通过考察反应温度,酸碱浓度以及加热时间等条件对其除杂效果的影响,最终得到β-SiC微粉最佳提纯工艺。 展开更多
关键词 β-SiC微粉 杂质 纯化
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粒度对β/α复合SiC陶瓷的性能影响研究 被引量:2
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作者 刘跃进 王晓刚 王雪莹 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第2期253-257,共5页
为得到性能优良的复合SiC陶瓷,实验选用1μm的α-SiC和不同粒度β-SiC粉体经过喷雾造粒,将所得不同种类造粒粉压制β/α复合SiC陶瓷素坯,进行无压烧结。通过对烧结体的密度、显微硬度和断裂韧性进行测试和表征,分析研究β-SiC与α-SiC... 为得到性能优良的复合SiC陶瓷,实验选用1μm的α-SiC和不同粒度β-SiC粉体经过喷雾造粒,将所得不同种类造粒粉压制β/α复合SiC陶瓷素坯,进行无压烧结。通过对烧结体的密度、显微硬度和断裂韧性进行测试和表征,分析研究β-SiC与α-SiC粒度组合对β/α复合SiC陶瓷的性能影响。研究结果表明:添加一定比例、合适粒径的β-SiC到α-SiC中对SiC陶瓷的性能有提高作用。当在1μm的α-SiC中添加1μm的β-SiC时复合SiC陶瓷密度最大,为3. 148 g/cm^3,维氏硬度也最大,为23. 98 GPa,同时其断裂韧性比单一α-SiC陶瓷有所提高,为4. 44 MPa·m^(1/2)。 展开更多
关键词 Β-SIC 复合SiC陶瓷 无压烧结 断裂韧性
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对苯二甲酸二甲酯成孔剂对β-SiC超精油石性能影响研究
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作者 赵凯 樊子民 +3 位作者 王嘉博 裴志辉 王行博 王晓刚 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第2期580-584,591,共6页
以β-SiC微粉为原料,陶瓷结合剂为粘结剂,对苯二甲酸二甲酯(DMT)为成孔剂,采用无压烧结工艺制备出性能优异的新型超精油石,研究了DMT含量对β-SiC超精油石气孔率、孔隙结构、力学性能及微观组织结构的影响。结果表明:当DMT添加量为4wt%... 以β-SiC微粉为原料,陶瓷结合剂为粘结剂,对苯二甲酸二甲酯(DMT)为成孔剂,采用无压烧结工艺制备出性能优异的新型超精油石,研究了DMT含量对β-SiC超精油石气孔率、孔隙结构、力学性能及微观组织结构的影响。结果表明:当DMT添加量为4wt%时,油石气孔率为53.4%,气孔尺寸主要为2~4μm,占比孔隙体积78%,抗弯强度为21.5 MPa,洛氏硬度为55.9 HRH,冲击韧性为1.21 kJ/m^2,气孔孔径细小且呈弥散均匀分布。该油石在金属表面尤其是轴承沟道磨抛加工过程中,可高效率的获得光洁度高、拉丝纹路均匀的产品表面。 展开更多
关键词 DMT含量 β-SiC超精油石 气孔率 孔隙结构 力学性能
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保温温度对固相烧结SiC/B4C复合陶瓷力学性能及微观形貌影响 被引量:4
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作者 樊子民 罗娟 王晓刚 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第3期932-936,共5页
以碳化硅、碳化硼微粉为原料,酚醛树脂为粘结剂,用固相烧结法制备了高温性能优异的SiC/B4C复合陶瓷,研究了保温温度对SiC/B4C复合陶瓷力学性能及微观形貌的影响。研究结果表明:2150℃保温45 min可制备出相对密度高达96.60%且综合性能优... 以碳化硅、碳化硼微粉为原料,酚醛树脂为粘结剂,用固相烧结法制备了高温性能优异的SiC/B4C复合陶瓷,研究了保温温度对SiC/B4C复合陶瓷力学性能及微观形貌的影响。研究结果表明:2150℃保温45 min可制备出相对密度高达96.60%且综合性能优异的SiC/B4C复合陶瓷,其维氏硬度为26.5 GPa,断裂韧性为4.04 MPa·m^1/2,抗弯强度为345 MPa;B4C晶粒周围被SiC呈板状结构包裹,少量B2O3存在于晶界处;当温度高于2150℃时,出现整体排列的片层状SiC,SiC由6H-SiC向4H-SiC转变。 展开更多
关键词 SiC/B4C复合陶瓷 保温温度 固相烧结 力学性能
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β-SiC粉体中常见金属杂质的亚临界水热去除工艺 被引量:2
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作者 王波 段晓波 +3 位作者 邓丽荣 王嘉博 陆树河 王晓刚 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2021年第8期2713-2718,共6页
高纯β-SiC粉体作为原料,广泛应用于半导体晶圆、半导体窑具、半导体芯片设备用陶瓷器件等产品。高温高压可以促进水热反应,采用亚临界水热法可去除工业合成β-SiC粉体中的金属杂质。研究不同酸体系下β-SiC粉体中常见金属杂质的去除效... 高纯β-SiC粉体作为原料,广泛应用于半导体晶圆、半导体窑具、半导体芯片设备用陶瓷器件等产品。高温高压可以促进水热反应,采用亚临界水热法可去除工业合成β-SiC粉体中的金属杂质。研究不同酸体系下β-SiC粉体中常见金属杂质的去除效果。利用电感耦合等离子原子发射光谱仪(ICP-OES)检测微量元素的含量,通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对β-SiC粉体的物相组成和微观结构进行表征。结果表明,对于Cr和Zr去除效果较好的是HCl体系,对于Ca、Fe、Mg和Ti去除效果较好的是HCl+HF+HNO_(3)体系,对于Al和K去除效果较好的是H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系。采用HCl体系处理的最佳反应温度为200℃,采用HCl+HF+HNO 3体系处理的最佳反应温度是220℃,采用H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系处理的最佳反应温度是200℃。其中,H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系可将β-SiC粉体中常见金属杂质含量降低至最少(杂质总含量为920.31 mg/L),因此该体系为β-SiC粉体除杂的最优方案。 展开更多
关键词 β-SiC粉体 水热法 金属杂质 电感耦合等离子体 提纯
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β-SiC粉体Si杂质的亚临界水热去除工艺 被引量:1
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作者 王波 段晓波 +3 位作者 邓丽荣 陆树河 王晓刚 白枭 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2021年第2期591-596,共6页
选用多热源法合成的β-SiC粉体为原料,采用亚临界水热法去除β-SiC粉体中的含Si杂质。通过XRD、SEM、EDS及可见分光光度计等对β-SiC粉体的物相组成、微观结构及Si杂质含量进行表征,重点研究β-SiC粉体中含Si杂质的亚临界水热去除工艺... 选用多热源法合成的β-SiC粉体为原料,采用亚临界水热法去除β-SiC粉体中的含Si杂质。通过XRD、SEM、EDS及可见分光光度计等对β-SiC粉体的物相组成、微观结构及Si杂质含量进行表征,重点研究β-SiC粉体中含Si杂质的亚临界水热去除工艺参数优化。结果表明,β-SiC粉体中的含Si杂质主要为SiO 2和游离硅(F·Si),而F·Si主要以大颗粒的形式存在。反应浓度增大、反应时间延长和反应温度升高均有利于提高Si杂质的去除率。最佳水热法处理工艺为:液固比5∶2,NaOH浓度4 mol·L^(-1),反应温度180℃,反应时间4 h。在此工艺下,β-SiC粉体中SiO 2的去除率达到100%,F·Si的去除率为96.4%。 展开更多
关键词 β-SiC粉体 水热法 碱处理 Si杂质 提纯
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