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二极管击穿电压的数值计算被引量：2: 1; 作者高玉民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期19-24,共6页; 本文以与实验结果符合得最好的R.V.Overstraeten等人的碰撞电离率为依据,按照雪崩击穿条件,采用数值方法计算了非穿通型单边突变结的雪崩击穿电压与衬底掺杂浓度的关系.在此基础上得到了非穿通型二极管击穿电压与电阻率的经验关系式,此... 展开更多; 关键词半导体二极管击穿电压计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

多场限环平面结击穿电压的解析计算被引量：1: 2; 作者高玉民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期20-23,共4页; 本文介绍了多场限环平面结的主、环结及各环结间穿通击穿的模型,推导出了穿通击穿电压的计算公式。利用等位线概念,得到了各结电压与穿通电压的关系式。使用所得解析式求出的主要结果与数值方法的结论相吻合,本方法对于浅结高压器件具... 展开更多; 关键词功率器件平面结击穿电压计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析: 3; 作者高勇赵旭东 +1 位作者余宁梅刘先锋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期49-52,48,共5页; 本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。; 关键词晶体管发射机多晶硅电流增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

肖特基势垒特性参数测试数据的计算机处理: 4; 作者田敬民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期56-60,共5页; 本文主要讨论根据正向J_F-V特性和C-V特性测试数据解析肖特基势垒高度和理想因子的数据处理方法和计算程序。以溅射工艺形成的Pt-Si接触为例,给出了在不同温度和退火气氛条件下热处理后的测试结果,并进行了简要讨论。; 关键词肖特基势垒参数测试数据计算机; 在线阅读下载PDF 职称材料

关于功率VDMOSFET优化设计中的几个问题: 5; 作者高玉民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期19-23,共5页; 本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。采用整体优化设计方法计算了依据工艺条件给定器件有关参数情况下,两类单元图形VDMOSFET最小比导通电阻... 展开更多; 关键词 VDMOSFET 优化设计导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

IGBT直流特性的解析分析: 6; 作者高玉民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期24-29,共6页; 本文根据IGBT是由MOSFET驱动的宽基区晶体管模型,提出了对称型IGBT外延层参数的选取方法,推导出正向压降的解析表达式,并讨论了外延层参数、非平衡载流子寿命、单元图形和终端有效度诸因素对正向压降的影响。; 关键词直流特性 TGBT 解析分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

二极管的计算机辅助设计被引量：2: 7; 作者高玉民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期18-22,共5页; 本文以P-I-N二极管为例,采用一维模型,用数值分析方法计算了二极管的正、反向J-V特性.并与用解析表达式的计算结果进行比较,揭示了以往器件没计中的局限性.同时还提出了这种方法在器件制造中的应用前景.; 关键词二极管计算机辅助设计 CAD; 全文增补中

减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨: 8; 作者高玉民朱初杨《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期21-23,共3页; 本文分析了汽车整流二极管反向特性差的原因,采用适当配比的HF-HNO_3混合液腐蚀的方法达到了合理的表面造型,并用液相钝化技术使二极管的反向特性得到明显改善.; 关键词整流二极管反向漏电流汽车工艺; 全文增补中

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