反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究

1

作者 张兴 石涌泉 黄敞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期41-44,共4页

本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。

关键词 SOI 器件 边缘寄生效应 刻蚀工艺

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高级综合中寄存器分配问题的研究

2

作者 袁小龙 沈绪榜 袁华 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 1997年第6期10-14,共5页

寄存器分配是数据路径综合中的一个重要任务。文中通过对寄存器分配问题进行研究分析，得出了它与通道布线中的轨道分配问题具有等价性的结论，进而采用一种轨道分配算法一左边界算法来解决寄存器的分配问题，同时对它进行扩充以支持条... 寄存器分配是数据路径综合中的一个重要任务。文中通过对寄存器分配问题进行研究分析，得出了它与通道布线中的轨道分配问题具有等价性的结论，进而采用一种轨道分配算法一左边界算法来解决寄存器的分配问题，同时对它进行扩充以支持条件结构中寄存器的分配问题。经实验证明，该算法能给出优化解，且具有速度快、效率高的特点，应用在高级综合系统中时，可极大地提高综合设计的质量。 展开更多

关键词 数字系统 高级综合 寄存器 分配

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0．50微米LDD　PMOS工艺研究

3

作者 余山 章定康 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期96-99,共4页

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，... 为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。 展开更多

关键词 热载流子效应 MOS工艺 集成电路

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亚微米CMOS阈值电压控制研究

4

作者 余山 章定康 黄敞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期35-38,共4页

由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂质注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的。

关键词 亚微米器件 阈值电压 控制

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九十年代电子技术预测

5

作者 沈绪榜 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1990年第11期1-11,16,共12页

一、前言 一个新的十年,20世纪的最后10年开始了。在这个十年里,迅速变化的电子技术将提供什么能力?硬件和软件将如何变化?设计系统的风格与智能将如何从技术上提高?这些都是企图利用强有力的技术手段创造财富,实现变化与进行全球竞争... 一、前言 一个新的十年,20世纪的最后10年开始了。在这个十年里,迅速变化的电子技术将提供什么能力?硬件和软件将如何变化?设计系统的风格与智能将如何从技术上提高?这些都是企图利用强有力的技术手段创造财富,实现变化与进行全球竞争时所要预测的问题。 毫无疑问,计算机能力与电路集成度的继续指数上升趋势将起主要作用。到九十年代末,一块芯片上将集成三千万晶体管,等效于五百万个可用的门。工作频率将超过100 MHz; 展开更多

关键词 电子技术 预测

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边界扫描路径的接口控制器设计 被引量：2

6

作者 沈绪榜 欧文聪 +1 位作者 梁松海 蒋安平 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1992年第5期1-5,共5页

本文主要从体系结构,扫描速率与实现分析等三个方面,讨论了一个边界扫描路径接口控制器BSPM的设计问题.

关键词 计算机 边界扫描路径 接口控制器

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边界扫描体系结构的一种实现设计 被引量：4

7

作者 沈绪榜 梁松海 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1991年第11期1-8,32,共9页

本文主要从扫描路径.测试控制与BIST等三个方面,讨论了JTAG边界扫描体系结构在PCB级,IC级与模块级的一种实现设计.

关键词 微机 扫描体系 结构 设计

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一种新的操作调度算法 被引量：3

8

作者 袁小龙 沈绪榜 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第3期193-197,共5页

操作调度是高级综合中的主要任务．本文对当前大多数高级综合系统所采用的调度算法进行分析之后，针对它们的全局性差、计算复杂度大的不足之处，提出了一种新的操作调度算法．经实验证明，该算法具有高效、复杂度低的特点，并且能够产... 操作调度是高级综合中的主要任务．本文对当前大多数高级综合系统所采用的调度算法进行分析之后，针对它们的全局性差、计算复杂度大的不足之处，提出了一种新的操作调度算法．经实验证明，该算法具有高效、复杂度低的特点，并且能够产生全局优化解，当用在高级综合系统中时，能极大地提高所产生的设计的质量． 展开更多

关键词 高级综合 操作调度 目标函数 算法

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薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制 被引量：1

9

作者 张兴 石涌泉 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期24-28,共5页

本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延、双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺... 本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延、双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜亚微米（实际沟道长度为０．５８μｍ）ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器。与厚膜器件相比，薄膜全耗尽器件和电路的性能得到了明显的提高。 展开更多

关键词 薄膜 CMOS SOS 亚微米 工艺 开发

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Barrel Shifter的三种实现方案 被引量：2

10

作者 沈绪榜 蒋安平 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1993年第10期1-8,48,共9页

本文详细地研究了现代RISC微处理机的一个重要功能部件BS(Barrel-Shifter)的三种实现方案,并从VLSI实现的角度对三种方案进行了比较,根据比较结果,最后决定在我们自行设计的32位嵌入式定点RISC微处理机中将采用部分译码的方案。

关键词 BS 微处理机 功能部件

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LS　MPP的模型选择 被引量：1

11

作者 沈绪榜 曹喜信 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第5期385-390,共6页

ＬＳＭＰＰ是针对图象理解应用而设计的一种大规模并行计算系统．本文主要介绍了并行体系结构、程序设计与计算的抽象模型的选择．这些模型的选择为ＬＳＭＰＰ的设计提供了基础知识．

关键词 体系结构 程序设计 模型 LSMPP 并行计算机系统

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一种循环结构的折叠调度算法 被引量：1

12

作者 袁小龙 沈绪榜 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 1997年第12期15-17,20,共4页

操作调度是高级综合中的重要任务。本文提出了一种采用循环折叠对循环结构进行调度的调度算法。该算法可处理具有迭代间数据依赖的循环结构，复杂度低，采用它可获得具有最小迭代时间的循环结构的调度。经实验证明，该算法具有简单易懂... 操作调度是高级综合中的重要任务。本文提出了一种采用循环折叠对循环结构进行调度的调度算法。该算法可处理具有迭代间数据依赖的循环结构，复杂度低，采用它可获得具有最小迭代时间的循环结构的调度。经实验证明，该算法具有简单易懂且运行速度快的特点，特别适合数字信号处理应用。 展开更多

关键词 循环结构 数字系统 高级综合 折叠调度 算法

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亚微米自对准硅化钛CMOS工艺 被引量：1

13

作者 余山 章定康 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期78-79,86,共3页

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。

关键词 集成电路 硅化钛 CMOS工艺 亚微米

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利用BS产生浮点运算附加位的两种方法 被引量：1

14

作者 蒋安平 沈绪榜 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1997年第3期28-33,共6页

本文介绍了在浮点数加减运算中利用桶式移位器产生附加位（保护位。

关键词 桶式移位器 浮点运算 RISC

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可测试性设计的JTAG方法 被引量：1

15

作者 沈绪榜 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1991年第1期10-18,共9页

本文将从边界扫描路径,测试体系结构,测试状态定义,测试指令安排与板级测试策略五个方面,介绍VLSI电路可测试性设计的JTAG方式.

关键词 VLSI 集成电路 可测试性 JTAG法

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一种互连单元的分配算法

16

作者 袁小龙 沈绪榜 袁华 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1997年第6期34-37,共4页

互连单元的分配是数据路径综合中的最后的一个重要任务。本文提出了一种简单实用的互连单元的分配算法，经实验证明，该算法能给出优化解，且具有速度快、效率高的特点，应用在高级综合系统中时。

关键词 互连单元 分配算法 微机 数据路径综合

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深亚微米薄膜SOI　MOSFET的二维数值模拟

17

作者 张兴 石涌泉 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期93-95,共3页

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此... 本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。 展开更多

关键词 数值模拟 深亚微米薄膜 SOI器件 集成电路

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深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟

18

作者 张兴 石涌泉 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期96-99,共4页

开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模... 开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。 展开更多

关键词 CMOS/SOI 集成数值模型 环振 薄膜电路

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Cache设计的分析与决策

19

作者 沈绪榜 陆铁军 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1992年第7期1-8,45,共9页

本文主要分析了cache设计的装载选择、地址表征、映射方式、置换策略以及一致性方法等问题,并根据这些分析,对一种嵌入式32位RISC微处理机的cache设计作出了决策。

关键词 隐含存储器 微处理机 设计 CACHE

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三维计算机及其实现技术

20

作者 沈绪榜 蒋安平 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 1996年第9期8-16,共9页

本文介绍了用于大规模并行处理的三维计算机的概念，探讨了其处理器和控制器的基本结构，介绍了利用ＷＳＩ引方法实现三维计算机的三种基本技术。

关键词 三维计算机 并行处理 三维实现技术 计算机

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