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新型铟砷锑非致冷型光导探测器的性能研究
被引量：
1
1
作者
曹红红
《红外》
CAS
2017年第7期48-52,共5页
介绍了采用新工艺生长的铟砷锑厚膜单晶。我公司采用和室温锑化铟探测器相同的工艺结构将其制成了高灵敏、非致冷型光导探测器,并对它的光电性能和光谱响应率进行了测试。将该探测器与室温锑化铟、致冷锑化铟以及硒化铅探测器作了对比,...
介绍了采用新工艺生长的铟砷锑厚膜单晶。我公司采用和室温锑化铟探测器相同的工艺结构将其制成了高灵敏、非致冷型光导探测器,并对它的光电性能和光谱响应率进行了测试。将该探测器与室温锑化铟、致冷锑化铟以及硒化铅探测器作了对比,所得数据为工作在中远红外波段(5~12μm)范围内的铟砷锑探测器的更广泛应用提供了可靠的依据。
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关键词
铟砷锑厚膜单晶
光电性能
光谱响应率
发展前景
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职称材料
题名
新型铟砷锑非致冷型光导探测器的性能研究
被引量：
1
1
作者
曹红红
机构
陕西华星电子集团有限公司红外分公司
出处
《红外》
CAS
2017年第7期48-52,共5页
文摘
介绍了采用新工艺生长的铟砷锑厚膜单晶。我公司采用和室温锑化铟探测器相同的工艺结构将其制成了高灵敏、非致冷型光导探测器,并对它的光电性能和光谱响应率进行了测试。将该探测器与室温锑化铟、致冷锑化铟以及硒化铅探测器作了对比,所得数据为工作在中远红外波段(5~12μm)范围内的铟砷锑探测器的更广泛应用提供了可靠的依据。
关键词
铟砷锑厚膜单晶
光电性能
光谱响应率
发展前景
Keywords
indium arsenic antimony
thick film single crystal
photoelectric property
spectral responsivity
development prospect
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
新型铟砷锑非致冷型光导探测器的性能研究
曹红红
《红外》
CAS
2017
1
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