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反应熔渗烧结法制备Ti_3SiC_2材料及其抗弯强度 被引量:1
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作者 吕振林 李阳 肖琪聃 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期62-65,102,共5页
以钛、TiC、硅粉为原料,采用反应熔渗烧结法制备了Ti_3SiC_2材料,并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1:2:0.2的钛、TiC、硅粉混合后,在1500℃烧结0.5h,能够制备出高纯致密的Ti_3SiC_2材料,Ti_3SiC_2的纯度高... 以钛、TiC、硅粉为原料,采用反应熔渗烧结法制备了Ti_3SiC_2材料,并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1:2:0.2的钛、TiC、硅粉混合后,在1500℃烧结0.5h,能够制备出高纯致密的Ti_3SiC_2材料,Ti_3SiC_2的纯度高达97.6%,孔隙率仅为4.6%;随着Ti_3SiC_2材料纯度的增加,材料的抗弯强度明显提高,当Ti_3SiC_2材料的纯度为97.3%时,其抗弯强度达到252.5 MPa;断口可见大量层状Ti_3SiC_2颗粒,颗粒间无明显的界面。 展开更多
关键词 TI3SIC2 反应熔渗烧结 孔隙率 抗弯强度
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