基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。...基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8%。然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77~260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In 0.972 Al 0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系。对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合。InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑。展开更多
文摘基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8%。然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77~260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In 0.972 Al 0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系。对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合。InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑。
