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添加剂辅助生长CsPbBr_(3)单晶及其γ射线探测性能
1
作者
陈燃
赵啸
+3 位作者
孟钢
GNATYUK Volodymyr
倪友保
王时茂
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第7期1238-1244,共7页
CsPbBr_(3)单晶具有高原子序数、高载流子迁移率寿命积、高电阻率和对X/γ射线的阻挡能力强等优点,是一种极具应用前景的半导体辐射探测材料。CsPbBr_(3)单晶可以通过溶液法低成本生长,但溶液法生长CsPbBr_(3)单晶具有择优取向,获得的...
CsPbBr_(3)单晶具有高原子序数、高载流子迁移率寿命积、高电阻率和对X/γ射线的阻挡能力强等优点,是一种极具应用前景的半导体辐射探测材料。CsPbBr_(3)单晶可以通过溶液法低成本生长,但溶液法生长CsPbBr_(3)单晶具有择优取向,获得的晶体多呈棒状,不利于器件制备,且晶体生长速度较快,单晶内容易出现孪晶等缺陷。本文在逆温度结晶法生长CsPbBr_(3)单晶过程中引入十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为添加剂调控单晶的生长速率(主要减缓[002]晶向的生长速度,抑制单晶的择优取向),提升单晶质量。晶体的摇摆曲线半峰全宽为0.08°,电阻率达到了8.14×10^(9)Ω·cm,载流子迁移率寿命积为6.44×10^(-3)cm^(2)·V^(-1),缺陷态密度为2.07×10^(10)cm^(-3),展现出良好的晶体质量和电学性质。基于获得的CsPbBr_(3)晶体制备的γ射线探测器实现了对241Am 59.5 keV γ射线光子10.25%的能谱分辨率。这些结果展示了添加剂辅助生长的高质量CsPbBr_(3)单晶在辐射探测应用中的潜力。
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关键词
CsPbBr_(3)单晶
逆温度结晶法
添加剂
空间位阻效应
Γ射线探测器
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职称材料
题名
添加剂辅助生长CsPbBr_(3)单晶及其γ射线探测性能
1
作者
陈燃
赵啸
孟钢
GNATYUK Volodymyr
倪友保
王时茂
机构
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所
中国科学技术大学
乌克兰国家科学院半导体物理研究所
阿德瓦法布股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第7期1238-1244,共7页
基金
国家自然科学基金(62075223)
核探测与核电子学国家重点实验室开放课题(SKLPDE-KF-202410)。
文摘
CsPbBr_(3)单晶具有高原子序数、高载流子迁移率寿命积、高电阻率和对X/γ射线的阻挡能力强等优点,是一种极具应用前景的半导体辐射探测材料。CsPbBr_(3)单晶可以通过溶液法低成本生长,但溶液法生长CsPbBr_(3)单晶具有择优取向,获得的晶体多呈棒状,不利于器件制备,且晶体生长速度较快,单晶内容易出现孪晶等缺陷。本文在逆温度结晶法生长CsPbBr_(3)单晶过程中引入十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为添加剂调控单晶的生长速率(主要减缓[002]晶向的生长速度,抑制单晶的择优取向),提升单晶质量。晶体的摇摆曲线半峰全宽为0.08°,电阻率达到了8.14×10^(9)Ω·cm,载流子迁移率寿命积为6.44×10^(-3)cm^(2)·V^(-1),缺陷态密度为2.07×10^(10)cm^(-3),展现出良好的晶体质量和电学性质。基于获得的CsPbBr_(3)晶体制备的γ射线探测器实现了对241Am 59.5 keV γ射线光子10.25%的能谱分辨率。这些结果展示了添加剂辅助生长的高质量CsPbBr_(3)单晶在辐射探测应用中的潜力。
关键词
CsPbBr_(3)单晶
逆温度结晶法
添加剂
空间位阻效应
Γ射线探测器
Keywords
CsPbBr_(3)single crystal
inverse temperature crystallization method
additive
steric hindrance effect
γ-ray detector
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
添加剂辅助生长CsPbBr_(3)单晶及其γ射线探测性能
陈燃
赵啸
孟钢
GNATYUK Volodymyr
倪友保
王时茂
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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