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Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文)
被引量：
1
1
作者
Rubén Gisbert
Víctor Climent
+1 位作者
Enrique Herrero
Juan M.Feliu
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期410-426,共17页
本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别...
本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变.
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关键词
Pt单晶电极
CU
欠电位沉积
台阶修饰
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职称材料
题名
Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文)
被引量：
1
1
作者
Rubén Gisbert
Víctor Climent
Enrique Herrero
Juan M.Feliu
机构
阿利坎特大学电化学研究所
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期410-426,共17页
基金
supported by the MICINN(Spain)(project CTQ2010-16271)
Generalitat Valenciana(project PROMETEO/2009/045,-FEDER)
文摘
本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变.
关键词
Pt单晶电极
CU
欠电位沉积
台阶修饰
Keywords
Pt single crystal electrodes
copper
underpotential deposition
step decoration
分类号
O646.54 [理学—物理化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文)
Rubén Gisbert
Víctor Climent
Enrique Herrero
Juan M.Feliu
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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