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题名三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺
被引量：1
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作者
袁璐月
刘峻
范鲁明
郭安乾
夏志良
霍宗亮
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机构
中国科学院大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
长江存储科技责任有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期281-285,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61474137)
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文摘
将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难。基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(CMP)之后去除SiO_2介质层,然后再利用化学气相淀积(CVD)法淀积一层台阶覆盖率较低的介质在金属互连线层内形成空气隙。采用空气隙结构代替原来的SiO_2介质层可降低约37.4%的寄生电容,且薄膜的台阶覆盖率会进一步降低电容。TCAD仿真和电性能测试结果表明,采用该方法制备的空气隙结构可降低互连延迟。
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关键词
三维闪存
W互连
RC延迟
空气隙
低台阶覆盖率
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Keywords
3D NAND flash
W interconnection
RC delay
air-gap
low step coverage rate
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
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作者
赵悦
杨盛玮
韩坤
刘丰满
曹立强
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机构
中国科学院大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
长江存储科技责任有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第1期51-57,72,共8页
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文摘
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。
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关键词
大马士革工艺
天线扩散效应
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
等离子体损伤
经时击穿(TDDB)
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Keywords
Damascene process
antenna expansion effect
plasma enhance chemical vapor deposition (PECVD)
plasma induced damage
time dependent dielectric breakdown (TDDB)
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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