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题名半导体激光器电极制备中的蒸发技术
被引量：1
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作者
王玉霞
王晓华
李辉
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机构
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期54-55,共2页
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基金
863项目![863-307-03-01(06)]
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文摘
介绍了半导体激光器电极的蒸发技术。改进了焊接技术即蒸铟技术，并对使用的铟量、铟的厚度、蒸发电流、蒸发源与被蒸镀的电极之间的距离及铟表面的均匀度进行了实验。最后蒸发出了表面均匀、有金属光泽、厚度合适的理想电极。
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关键词
蒸发技术
电极蒸铟
半导体激光器
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Keywords
laser electrode
electrodes evaporation In
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分类号
TN248.405
[电子电信—物理电子学]
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题名高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
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作者
宋晓伟
王玲
王玉霞
张宝顺
薄报学
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机构
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《长春光学精密机械学院学报》
1999年第4期60-62,共3页
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文摘
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
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关键词
半导体激光器
分别限制结构
量子阱
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Keywords
Semiconductor Laser
SCH
Single quantum well
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名940nm激光二极管泵浦Yb∶YAG晶体产生蓝光
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作者
田乃良
张兴德
杜宝勋
薄报学
张宝顺
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机构
天津理工学院光电信息系
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期282-282,共1页
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关键词
激光二极管
泵浦
YB:YAG晶体
蓝光
激光器
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分类号
TN248
[电子电信—物理电子学]
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题名一组软件故障数据的分析
- 4
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作者
史全林
周源泉
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机构
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
北京强度与环境研究所
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出处
《导弹与航天运载技术》
1999年第6期47-54,共8页
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文摘
对含突变点的软件故障的分组数据集，用幂律模型进行了分析。关于分组数据提出了另一种增长检验方法。在拟合优度欠佳或有突变点时，提出了分组数据的分段处理方法，并指出，在用幂律模型分析数据时，必须综合运用分析方法与图解方法，以便从数据中提取出更多的真实信息并避免片面性与错误。
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关键词
软件
故障分析
可靠性分析
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Keywords
Software, Fault analysis, Reliablity analysis.
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分类号
TP311.5
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究
被引量：1
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作者
宋晓伟
李梅
高欣
李军
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机构
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期274-277,共4页
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文摘
阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ ， 同时具有较高的强度． 表明量子阱结构具有陡峭的界面； 另外还观察到， Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动． 测试结果表明， 样品质量符合设计要求， 结果令人满意．
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关键词
量子阱
光致发光
镓铝砷
砷化镓
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Keywords
GaAlAs/GaAs
quantum well
photoluminescence
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
O482.31
[理学—固体物理]
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