液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4

1

作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页

用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。

关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率

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高功率无铝半导体激光器 被引量：3

2

作者 朱宝仁 张宝顺 +1 位作者 薄报学 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期189-192,共4页

介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,... 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 展开更多

关键词 无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH

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808nm大功率半导体激光器的装配

3

作者 高欣 宋晓伟 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第4期41-42,55,共3页

本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阈值电流，提高了光电转换效率。

关键词 半导体激光器 超声热压焊接 装配 大功率

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808nm准连续阵列半导体激光器 被引量：1

4

作者 高欣 薄报学 +2 位作者 曲轶 张宝顺 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期342-345,共4页

报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．

关键词 准连续 阵列 半导体激光器 占空比

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半导体激光器的最新进展及其应用 被引量：13

5

作者 李学千 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第4期56-63,共8页

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要... 在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。研究了国内外高功率半导体激光器的开发现状，列出了半导体激光器当前的各种应用，对半导体激光器的发展趋势进行了预测。最后，对发展我国高功率半导体激光器提出了一些看法。 展开更多

关键词 高功率 半导体激光器 激光

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808nm半导体激光器接触电阻的最佳工艺 被引量：1

6

作者 王玉霞 任大翠 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第4期53-55,共3页

欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于0.06欧姆的最低电阻。

关键词 欧姆接触 接触电阻 半导体激光器 工艺 高功率

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堆积式列阵半导体激光器 被引量：1

7

作者 赵英杰 黎荣晖 +1 位作者 晏长岭 钟景昌 《长春光学精密机械学院学报》 1999年第2期17-20,共4页

本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－... 本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－３μｍ 激光器，脉冲峰值功率超过３ｗ （ 瓦）［ １］ ， 单个１－５５μｍ 激光器， 脉冲峰值功率超过２ Ｗ［ ２］ 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现， 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和； 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成３ ×４ 单元的１－３μｍ 列阵激光器， 其脉冲峰值功率大于２４ Ｗ； ４ ×４ 单元的１－５５μｍ 列阵激光器， 它的脉冲峰值功率大于２０ Ｗ。 展开更多

关键词 半导体激光器 大光腔结构 堆积列阵 激光器

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半导体激光器材料的MBE生长 被引量：1

8

作者 刘国军 张千勇 +5 位作者 杨晗 张兴德 李学谦 宋晓伟 曲轶 王晓华 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第3期6-9,共4页

本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。

关键词 分子束外延 半导体激光器 MBE 光电子器件

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量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

9

作者 刘国军 张千勇 +8 位作者 杨晗 曲轶 夏伟 张兴德 李梅 王晓华 李学谦 薄报学 张宝顺 《长春光学精密机械学院学报》 1998年第3期15-17,22,共4页

本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长， 并对外延片的电学和光学特性进行了... 本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长， 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。 展开更多

关键词 分子束外延 量子阱激光器 半导体 激光器材料

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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

10

作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。

关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物

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半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 被引量：2

11

作者 晏长岭 钟景昌 +3 位作者 赵英杰 苏伟 黎荣晖 任春燕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期289-293,共5页

在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱... 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 DBR 超晶格 分子束外延 MBE 串联电阻 半导体激光器 特性研究 GAAS/ALAS 砷化镓/砷化铝

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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究

12

作者 李忠辉 高欣 +2 位作者 李梅 王玲 张兴德 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-13,共3页

介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W... 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 展开更多

关键词 InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 大功率量子阱激光器 测试

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大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列

13

作者 李忠辉 王玲 +2 位作者 李梅 高欣 张兴德 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期255-256,264,共3页

分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参... 分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。 展开更多

关键词 GRIN-SCH-SQW 分子束外延 阵列半导体激光器 分别限制 量子阱

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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究 被引量：1

14

作者 李梅 宋晓伟 +2 位作者 王晓华 张宝顺 李学千 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期355-358,共4页

本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速... 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。 展开更多

关键词 MBE生长 GaAlAs/GaAs量子阱激光器 分子束外延 双晶衍射

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GaAs-GaAlAs大光腔激光器

15

作者 宋晓伟 李梅 任大翠 《长春光学精密机械学院学报》 1999年第2期26-28,共3页

利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管， 峰值输出功率达到１... 利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管， 峰值输出功率达到１５ Ｗ。 展开更多

关键词 液相外延 大光腔 半导体激光器 激光器

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双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度

16

作者 曲轶 高欣 +2 位作者 张宝顺 薄报学 张兴德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期45-46,58,共3页

介绍了通过双晶ｘ 射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．

关键词 量子阱激光器 外延材料 厚度 X射线衍射法

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微通道热沉标准单元制作的SEM观察

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作者 王晓华 张宝顺 +2 位作者 王玉霞 任大翠 张兴德 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期587-588,共2页

关键词 半导体激光器 热沉标准单元 SEM

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LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究

18

作者 王晓华 任大翠 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第4期25-26,40,共2页

通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。

关键词 液相外延 激光器 超薄层 量子阱 外延片 SEM

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红外精确制导技术的现状及发展趋势 被引量：5

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作者 李忠辉 李军 +2 位作者 李辉 徐莉 张兴德 《长春光学精密机械学院学报》 2000年第4期19-24,共6页

介绍了红外精确制导技术及红外探测器的基本原理、类型 ,综述了各国的研究现状和发展趋势 。

关键词 精确制导 探测器 半自动制导 点源寻的制导 成像制导 红外

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