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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4
1
作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率
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高功率无铝半导体激光器 被引量：3
2
作者 朱宝仁 张宝顺 +1 位作者 薄报学 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期189-192,共4页
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,... 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 展开更多
关键词 无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH
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980nm高功率列阵半导体激光器
3
作者 曲轶 高欣 等 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期428-430,共3页
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温），峰值波长为978－981nm。
关键词 分子束外延 列阵半导体激光器 应变量子阱 宽接触结构 输出功率
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808nm准连续阵列半导体激光器 被引量：1
4
作者 高欣 薄报学 +2 位作者 曲轶 张宝顺 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期342-345,共4页
报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．
关键词 准连续 阵列 半导体激光器 占空比
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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
5
作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物
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半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 被引量：2
6
作者 晏长岭 钟景昌 +3 位作者 赵英杰 苏伟 黎荣晖 任春燕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期289-293,共5页
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱... 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜 DBR 超晶格 分子束外延 MBE 串联电阻 半导体激光器 特性研究 GAAS/ALAS 砷化镓/砷化铝
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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究 被引量：1
7
作者 李梅 宋晓伟 +2 位作者 王晓华 张宝顺 李学千 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期355-358,共4页
本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速... 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。 展开更多
关键词 MBE生长 GaAlAs/GaAs量子阱激光器 分子束外延 双晶衍射
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双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度
8
作者 曲轶 高欣 +2 位作者 张宝顺 薄报学 张兴德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期45-46,58,共3页
介绍了通过双晶ｘ 射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．
关键词 量子阱激光器 外延材料 厚度 X射线衍射法
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微通道热沉标准单元制作的SEM观察
9
作者 王晓华 张宝顺 +2 位作者 王玉霞 任大翠 张兴德 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期587-588,共2页
关键词 半导体激光器 热沉标准单元 SEM
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平板波导光子阱中自发发射特性 被引量：1
10
作者 吴根柱 王晓华 +2 位作者 王玉霞 王玲 张兴德 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第11期993-997,共5页
本文从腔量子电动力学角度讨论了平板波导光子阱中自发辐射特性与阱厚度之间的依赖关系 ,从而对光学微腔的设计提供了理论依据 .
关键词 光子阱 自发发射速率 偶极子 平板波导 量子光学
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