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藻蓝蛋白(C-Pc)的三阶光学非线性和激发态弛豫
1
作者 刘志斌 彭俊彪 +1 位作者 李文连 邓湘君 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期179-181,共3页
藻蓝蛋白（Ｃ－Ｐｃ）的三阶光学非线性和激发态弛豫＊刘志斌彭俊彪ａ）李文连（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）邓湘君（吉林省生物研究所，长春１３００... 藻蓝蛋白（Ｃ－Ｐｃ）的三阶光学非线性和激发态弛豫＊刘志斌彭俊彪ａ）李文连（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）邓湘君（吉林省生物研究所，长春１３００１２）关键词藻蓝蛋白，χ（３）值，... 展开更多
关键词 藻蓝蛋白 X^(3)值 C-Pc 光合作用
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LCoS反射层的实验研究 被引量：8
2
作者 欧毅 宋玉龙 +1 位作者 刘明 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期554-557,共4页
LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内... LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1μm以上)则容易形成“铝丘”,即出现多晶态的A1分布,一方面使A1膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。 展开更多
关键词 LCOS 电子束蒸发 反射率 电导率
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(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究 被引量：6
3
作者 羊亿 栗红玉 +4 位作者 申德振 张吉英 吕有明 刘益春 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期329-333,共5页
设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结... 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。 展开更多
关键词 复合量子阱 激子隧穿 光学特性 光双稳器件 半导体 光计算机
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ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究 被引量：5
4
作者 范希武 于广友 +2 位作者 张吉英 杨宝均 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页
用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ; 展开更多
关键词 ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 激子隧穿 受激发射
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970nm LD激发Tm^(3+)、Yb^(3+)掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究 被引量：3
5
作者 陈宝玖 孔祥贵 +4 位作者 曹望和 秦伟平 王海宇 许武 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期300-304,共5页
设计并制备了一种Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料，其组份为５０ＴｅＯ２－１４．９ＰｂＦ２－１０ＡＩＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３测量了该玻璃系统的Ｒａｍａ... 设计并制备了一种Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料，其组份为５０ＴｅＯ２－１４．９ＰｂＦ２－１０ＡＩＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱，在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色荧光，光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于１Ｇ４→３Ｈ６的跃迁，同时，还有两个较弱的红色发射源于１Ｇ４→３Ｈ４和３Ｆ４→３Ｈ６跃迁．测量并讨论了蓝色、红色上转换荧光强度与ＬＤ工作电流的关系．这个关系表明蓝色上转换发射需要三个光子参与，而红色（６６３ｎｍ）发射需要两个光子参与实现． 展开更多
关键词 上转换发光 激光材料 碲酸盐玻璃 掺杂
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表面钝化技术对光学灾变的影响的研究 被引量：4
6
作者 程东明 刘云 王立军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期14-15,共2页
介绍了对半导体激光器的腔面进行钝化处理的方法 ,分别采用几种不同的试剂对腔面进行处理 ,得出不同的结果。实验表明 ,用P2 S5/NH4OH和 (NH4) 2 Sx 共同处理的样品在较高功率时开始发生光学灾变。
关键词 半导体激光器 光学灾变 表面钝化 腔面
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利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 被引量：1
7
作者 颜建锋 梁红伟 +5 位作者 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-106,共4页
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,... 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析
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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究 被引量：1
8
作者 李海涛 陈辰嘉 +6 位作者 王学忠 刘继周 孙允希 凌震 王迅 吕少哲 孔祥贵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期113-119,共7页
在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平... 在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。 展开更多
关键词 光致发光 稀磁半导体 超晶格 光学性质 锌碲
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纳米PIC-I/azaPIC-I混合分子聚集体光学非线性的Z-扫描研究
9
作者 刘春旭 刘俊业 +3 位作者 王淑梅 李丹 许武 虞家琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期328-332,共5页
引入胶体ＳＰ５４，在室温下形成了ＰＩＣ－Ｉ（１，１，ｄｉｅｔｈｙ１－２，２，－ｃｙａｎｎｉｎｅＰ－ｔｏｌｕｅｎｅｓｕｌ－ｆｏｎａｔｅ－Ｉｏｄｉｄｅ）／ａｚａＰＩＣ－Ｉ的Ｊ－聚集体．用Ｚ－扫描技术系统研究了室温下纳米Ｐ... 引入胶体ＳＰ５４，在室温下形成了ＰＩＣ－Ｉ（１，１，ｄｉｅｔｈｙ１－２，２，－ｃｙａｎｎｉｎｅＰ－ｔｏｌｕｅｎｅｓｕｌ－ｆｏｎａｔｅ－Ｉｏｄｉｄｅ）／ａｚａＰＩＣ－Ｉ的Ｊ－聚集体．用Ｚ－扫描技术系统研究了室温下纳米ＰＩＣ－Ｉ／ａｚａＰＩＣ－Ｉ有机分子聚集体三种配比下的三阶光学非线性．观测到随着链长变短，样品的三阶非线性极化率增大．我们分析和讨论了这种非线性增强的机制． 展开更多
关键词 纳米 混合分子聚集体 光学非线性 Z-扫描 PIC-I
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射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究
10
作者 孙甲明 钟国柱 +1 位作者 范希武 郑陈玮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期31-35,共5页
首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ... 首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递． 展开更多
关键词 电致发光 硫化钙 氟化铥 磁控溅射 激发过程
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980nm激发下Tm^(3＋)诱导的Gd^(3＋)上转换发光性质研究
11
作者 曹春燕 余晓光 +1 位作者 秦伟平 张继森 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期616-620,共5页
通过简单温和水热法,制备了系列Tm3+/Yb3+共掺GdF3粉末。用X射线衍射仪和场发射扫描电镜对样品进行了结构和形貌表征。在980 nm半导体连续激光二极管激发下,用荧光光谱仪对氩气保护下退火后的粉末样品进行了上转换发射光谱表征。粉末上... 通过简单温和水热法,制备了系列Tm3+/Yb3+共掺GdF3粉末。用X射线衍射仪和场发射扫描电镜对样品进行了结构和形貌表征。在980 nm半导体连续激光二极管激发下,用荧光光谱仪对氩气保护下退火后的粉末样品进行了上转换发射光谱表征。粉末上转换发光动力学过程是在脉冲(脉宽10 ns,重复频率10 Hz)YAG∶Nd激光器激发光参量振荡器至980 nm激发下研究的,发光信号由单色仪和示波器记录。文章主要讨论了Gd3+的311.6 nm(6P7/2→8S7/2)的发光动力学行为。发光动力学分析结果表明:在980 nm激发下,Gd3+,作为一种基质离子,其发光是由Yb3+作为一级敏化离子通过多步能量传递把能量传递给Tm3+使其布居至3P2能级;然后Tm3+作为二级敏化离子通过能量传递过程3P2→3H6(Tm3+):8S7/2→6IJ(Gd3+)把能量传给Gd3+;进一步,Gd3+与Yb3+或Tm3+之间通过能量传递过程布居至高激发多重态6DJ能级;最后,可观察到Gd3+的激发态6D9/2,6IJ,6P5/2及6P7/2至基态8S7/2的发射。同时,Tm3+在其自身发光过程中也充当激活剂,除了3P2及1I6至3H6的发射外,其他发射不作研究。文章还研究了基质Gd3+依赖于Yb3+浓度、Tm3+浓度、退火温度及激发功率密度的紫外上转换发光性质。 展开更多
关键词 Tm3+/Yb3+共掺GdF3 紫外上转换发射 发光动力学
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Yb^(3+)∶Pr^(3+)∶ZBLAN光纤中4f5d上转换激发的理论研究 被引量：5
12
作者 方爱平 戴振文 +3 位作者 杨海贵 孙桂娟 王立军 蒋占魁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期487-494,共8页
利用粒子数速率方程和相关的辐射跃迁理论,计算了Yb3+∶Pr3+∶ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级两步上转换激发的动力学过程。得到不同Pr3+掺杂浓度下,激发光的光谱强度和粒子数密度的纵向分布和有效光纤长度随激发光的光谱强度的变化关系... 利用粒子数速率方程和相关的辐射跃迁理论,计算了Yb3+∶Pr3+∶ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级两步上转换激发的动力学过程。得到不同Pr3+掺杂浓度下,激发光的光谱强度和粒子数密度的纵向分布和有效光纤长度随激发光的光谱强度的变化关系。另外,还得到了4f5d荧光强度与入射光强、光纤长度和Pr3+掺杂浓度的关系,给出了激发效率与激发光的光谱强度和Pr3+掺杂浓度的关系。 展开更多
关键词 光学材料 上转换激发 Yb^3+:Pr^3+:ZBLAN 光纤 46d能级
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芘四磺酸四钠盐光物理性质的研究 被引量：1
13
作者 刘志斌 彭俊彪 +2 位作者 李文连 邓湘君 Tran-ThiTH 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期161-165,共5页
本文利用吸收光谱、荧光光谱以及时间分辨瞬态吸收光谱研究芘四磺酸四钠盐的光物理特性．研究结果表明，芘四磺酸四钠盐在水溶液中的荧光量子产额高达０．５４．在纳秒时间分辨瞬态吸收光谱研究中发现芘四磺酸四钠盐具有很长的三重态寿... 本文利用吸收光谱、荧光光谱以及时间分辨瞬态吸收光谱研究芘四磺酸四钠盐的光物理特性．研究结果表明，芘四磺酸四钠盐在水溶液中的荧光量子产额高达０．５４．在纳秒时间分辨瞬态吸收光谱研究中发现芘四磺酸四钠盐具有很长的三重态寿命（３．５ｍｓ），这有利于将其作为光敏化分子把激发能传给其它受体分子；芘四磺酸四钠盐被光激发后，可能发生双光子吸收过程并产生芘四磺酸四钠盐阳离子，其吸收峰为４６０ｎｍ和５０５ｎｍ．由实验结果。 展开更多
关键词 芘四磺酸四钠盐 瞬态吸收光谱 双光子吸收
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严懋勋实验室与长余辉荧光材料
14
作者 贾冬冬 张家骅 +1 位作者 何志毅 王笑军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期655-659,共5页
关键词 荧光材料 长余辉 实验室 基础研究 物理系 大学 美国
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PyTS/MV^(2+)复合物光物理性质的研究
15
作者 刘志斌 彭俊彪 邓湘君 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期242-247,共6页
由于静电相互作用，ＰｙＴＳ溶液与ＭＶ２＋溶液混合后能形成ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋基态复合物，由吸收光谱滴定得到其组成成分为１１的二聚物；而由荧光光谱滴定得到ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋复合物组成成分不仅有１１的二聚物，而且还有１２的... 由于静电相互作用，ＰｙＴＳ溶液与ＭＶ２＋溶液混合后能形成ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋基态复合物，由吸收光谱滴定得到其组成成分为１１的二聚物；而由荧光光谱滴定得到ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋复合物组成成分不仅有１１的二聚物，而且还有１２的三聚物；由瞬态吸收光谱可观察到ＭＶ＋、ＰｙＴＳ＋的瞬态吸收峰，这表明ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋复合物被光激发后，发生了由ＰｙＴＳ到ＭＶ２＋的电子转移过程； 展开更多
关键词 PyTS/MV^2+ 复合物 超分子 吸收光谱 光电子材料
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白光LED用红色荧光粉α-Gd_2(MoO_4)_3∶Eu的制备及其发光性能研究 被引量：29
16
作者 赵晓霞 王晓君 +3 位作者 陈宝玖 孟庆裕 颜斌 狄卫华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期629-633,共5页
以Gd2O3,MoO3,Eu2O3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光LED用红色荧光粉材料α相Gd2(MoO4)3∶Eu。利用XRD,SEM,激发和发射光谱对其进行了研究。分析了助熔剂和激活剂对样品的晶体结构,表面形貌和发光性能的影响。结... 以Gd2O3,MoO3,Eu2O3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光LED用红色荧光粉材料α相Gd2(MoO4)3∶Eu。利用XRD,SEM,激发和发射光谱对其进行了研究。分析了助熔剂和激活剂对样品的晶体结构,表面形貌和发光性能的影响。结果表明这种荧光粉可以被近紫外光(395nm)和蓝光(465nm)有效激发,发射峰值位于613nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光,激发波长与目前广泛使用的蓝光和紫外光LED芯片相符合。因此,三价Eu离子激活的α相Gd2(MoO4)3是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。 展开更多
关键词 红色荧光粉 EU^3+ 白光LED 助熔剂
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白光LED荧光粉涂敷工艺及光学性质 被引量：19
17
作者 刘丽 吴庆 +9 位作者 黄先 王健 褚明辉 张立功 侯凤勤 刘学彦 赵成久 范翊 罗劲松 蒋大鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期890-894,共5页
在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高... 在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高,而光通量呈非线性增加,流明效率逐渐下降。 展开更多
关键词 白光LED 色坐标 色温 光通量 流明效率
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高功率底发射VCSELs的制作与特性研究 被引量：15
18
作者 孙艳芳 金珍花 +9 位作者 宁永强 秦莉 晏长岭 路国光 套格套 刘云 王立军 崔大复 李惠青 许祖彦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第5期449-453,共5页
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性。通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率。分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系... 研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性。通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率。分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系。结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管,室温下均达到连续输出功率1.95W,这也是目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率;实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系与理论计算所得结果一致。并特别讨论了直径200μm的器件的近场和远场光强分布,获得单横模工作。 展开更多
关键词 VCSELs底发射 980nm 输出功率 近场 远场
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钒磷酸钇铕PDP用荧光粉的合成及其发光特性研究 被引量：14
19
作者 赖华生 陈宝玖 +4 位作者 许武 谢宜华 王晓君 狄卫华 赵晓霞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1929-1932,共4页
采用共沉淀法成功合成了Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉,并利用SEM、变温紫外激光激发及真空紫外激 发下的发射光谱对所合成粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。试验结果表明,与高温固相合成法相比, 共沉淀法合成的Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉的颗粒形... 采用共沉淀法成功合成了Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉,并利用SEM、变温紫外激光激发及真空紫外激 发下的发射光谱对所合成粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。试验结果表明,与高温固相合成法相比, 共沉淀法合成的Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉的颗粒形貌好,发光强度明显提高;在325 nm激光激发下,低温时 存在基质VO43-的蓝色宽带发射,随着温度升高,VO43-吸收的激发能量逐渐传递给Eu3+,使其发光逐渐增 强,当温度高于临界点时,Eu3+发射出现温度猝灭;Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉发射主峰位于619 nm,色纯度 好,且发光亮度与彩色PDP用商品红粉(Y,Gd)BO3:Eu3+相当。 展开更多
关键词 共沉淀法 PDP 荧光粉 光谱
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新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉 被引量：95
20
作者 孙晓园 张家骅 +3 位作者 张霞 刘慎薪 蒋大鹏 王笑军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期404-406,共3页
首次报道单一Sr2MgSiO5∶Eu2+材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫... 首次报道单一Sr2MgSiO5∶Eu2+材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0.33,y=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 白光LED 白光荧光粉 单一白光荧光粉
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