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SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性
1
作者
张林
杨小艳
+3 位作者
高攀
张赞
胡笑钏
高恬溪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期115-118,共4页
对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵...
对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。
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关键词
碳化硅
温度传感器
肖特基势垒二极管(SBD)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
高温
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职称材料
题名
SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性
1
作者
张林
杨小艳
高攀
张赞
胡笑钏
高恬溪
机构
长安大学
电子与控制
工程
学院
长安大学道路交通智能检测与装备工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期115-118,共4页
基金
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2015JM6357)
西安市科技局资助项目(CXY1441(9))
国家级大学生创新创业训练资助项目(201510710126)
文摘
对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。
关键词
碳化硅
温度传感器
肖特基势垒二极管(SBD)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
高温
Keywords
SiC
temperature sensor
Schottky barrier diode（SBD）
metal oxide semiconductor field effect transistor（MOSFET）
high temperature
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性
张林
杨小艳
高攀
张赞
胡笑钏
高恬溪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
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职称材料
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