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Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
被引量：
1
1
作者
徐小波
张林
+3 位作者
王晓艳
谷文萍
胡辉勇
葛建华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1763-1771,共9页
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1...
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.
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关键词
Early效应
三极管
SPICE
积分电荷控制关系
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职称材料
题名
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
被引量：
1
1
作者
徐小波
张林
王晓艳
谷文萍
胡辉勇
葛建华
机构
长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心
西安
电子
科技
大学
综合业务网理论与关键
技术
国家重点实验室
西安
电子
科技
大学
微
电子
学院
宽禁带半导体材料与器件重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1763-1771,共9页
基金
中国博士后科学基金(No.2013M540732)
国家自然科学基金(No.61504011)
+3 种基金
陕西省自然科学基金(No.2014JQ8344
No.2015JM6357)
西安市科技计划项目(No.CXY1441(9))
中央高校基本科研业务费(No.31083216002)
文摘
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.
关键词
Early效应
三极管
SPICE
积分电荷控制关系
Keywords
Early effect
bipolar transistor
SPICE
integral charge control relation（ICCR）
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
徐小波
张林
王晓艳
谷文萍
胡辉勇
葛建华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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